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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> PD54008S
PD54008S PDF预览

PD54008S

更新时间： 2024-02-03 06:50:02
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体射频场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
10页 126K
描述
RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

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PD54008S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERSO-10RF, 2 PIN
针数：10Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：25 weeks
风险等级：1.61Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A最大漏极电流 (ID)：5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：165 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：73 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PD54008S 数据手册

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PD54008 - PD54008S  
RF POWER TRANSISTORS  
LdmoST  
The  
Plastic FAMILY  
PRELIMINARY DATA  
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL  
MOSFETs  
• EXCELLENT THERMAL STABILITY  
• COMMON SOURCE CONFIGURATION  
• POUT = 8 W with 10 dB gain @ 500 MHz / 7.5V  
• NEW RF PLASTIC PACKAGE  
PowerSO-10RF  
(Formed Lead)  
ORDER CODE  
PD54008  
BRANDING  
XPD54008  
DESCRIPTION  
The PD54008 is a common source N-Channel, en-  
hancement-mode, lateral Field-Effect RF power  
transistor. It is designed for high gain, broad band  
commercial and industrial applications. It operates  
at 7V in common source mode at frequencies of  
up to 1GHz. PD54008 boasts the excellent gain,  
linearity and reliability of ST’s latest LDMOS tech-  
nology mounted in the first true SMD plastic RF  
power package, PowerSO-10RF. PD54008’s su-  
perior linearity performance makes it an ideal so-  
lution for portable radio.  
PowerSO-10RF  
(Straight Lead)  
The PowerSO-10 plastic package, designed to of-  
fer high reliability, is the first ST JEDEC approved,  
high power SMD package. It has been specially  
optimized for RF needs and offers excellent RF  
performances and ease of assembly.  
ORDER CODE  
PD54008S  
BRANDING  
XPD54008S  
= 25 OC)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T  
CASE  
Parameter  
Drain Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
25  
±20  
V
V
(BR)DSS  
V
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
GS  
I
5
A
D
0
P
73  
W
DISS  
Power Dissipation (@ Tc = 70 C)  
T
Max. Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
165  
0
j
C
C
T
-65 to 165  
0
STG  
THERMAL DATA  
0C/W  
1/10  
R
Junction-Case Thermal Resistance  
1.3  
th(j-c)  
May 2000  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PD54008S-E STMICROELECTRONICS

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 		RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
PD54008S-E-E STMICROELECTRONICS

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 		RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
PD54008STR-E STMICROELECTRONICS

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PD54008TR-E STMICROELECTRONICS

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 		RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
PD54-103K API

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 		General Purpose Inductor, 10uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2220
PD54-104K API

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