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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> PD130F120
PD130F120 PDF预览

PD130F120

更新时间： 2024-09-24 21:53:43
品牌 Logo 应用领域
SANREX 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 118K
描述
THYRISTOR MODULE

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PD130F120 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
最大直流栅极触发电流：100 mA最大直流栅极触发电压：3 V
快速连接描述：0螺丝端子的描述：0
最大维持电流：50 mA最大漏电流：50 mA
通态非重复峰值电流：4400 A最大通态电压：1.4 V
最大通态电流：130000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Silicon Controlled RectifiersBase Number Matches：1

PD130F120 数据手册

 浏览型号PD130F120的Datasheet PDF文件第2页 
THYRISTOR MODULE  
(
)
PD,PE,KK  
PK  
130F  
UL:E76102（M）  
Power Thyristor/Diode Module PK130F series are designed for various rectifier circuits  
and power controls. For your circuit application. following internal connections and wide  
voltage ratings up to 1,600V are available. Two elements in a package and electrically  
isolated mounting base make your mechanical design easy.  
92  
26  
12  
26  
7
4-φ6（M5）�  
●
T(AV)  
I
T(RMS)  
130A, I  
TSM  
205A, I  
4400A  
● di/dt 200 A/μs  
● dv/dt 500V/μs  
18  
2
R8.0  
K2  
G2  
K2  
G2  
M8×14  
3
2
1
（Applications）  
Various rectifiers  
AC/DC motor drives  
Heater controls  
Light dimmers  
K1G1  
（A2）�  
♯110TAB  
（2.8.0.5T）�  
（K2）�  
3
2
1
A1K2  
K1  
（K2）�  
（A2）�  
A1K2  
PK  
PE  
K2  
2
K2  
G2  
3
2
1
1
1
K1G1  
（A2）�  
（K2）�  
K1G1  
（A2）�  
A1K2  
（A1）�  
80±0.3  
Static switches  
PD  
KK  
Unit：  
A
■Maximum Ratings  
Ratings  
PK130F120  
PK130F40  
PD130F40  
PE130F40  
KK130F40  
PK130F80  
PD130F80  
PE130F80  
KK130F80  
PK130F160  
PD130F160  
PE130F160  
KK130F160  
Symbol  
Item  
Unit  
PD130F120  
PE130F120  
KK130F120  
RRM  
V
400  
480  
400  
800  
960  
800  
1200  
1300  
1200  
1600  
1700  
1600  
V
V
V
＊
＊
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
RSM  
V
DRM  
V
Symbol  
T（AV）  
I
Item  
Conditions  
Ratings  
130  
Unit  
A
＊Average On-State Current  
＊R.M.S. On-State Current  
＊Surge On-State Current  
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：90℃  
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：90℃  
／cycle, 50Hz/60Hz, peak Value, non-repetitive  
Value for one cycle of surge current  
T（RMS）  
I
205  
A
1
TSM  
I
A
4000 4400  
/
2
2
2
2
I t  
A S  
＊I t  
8×104  
GM  
P
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current  
10  
W
W
A
G（AV）  
P
3
FGM  
I
3
10  
FGM  
V
Peak Gate Voltage (Forward)  
Peak Gate Voltage (Reverse)  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
V
RGM  
V
5
V
1
G
D
DRM  
G
200  
di／dt  
I ＝100mA，Tj＝25℃，V ＝  
／
2V ，dI dt＝0.1A μs  
A μs  
/
/
/
ISO  
V
A.C.1minute  
2500  
V
℃
℃
＊
＊
Isolation Breakdown Voltage (R.M.S.)  
Operating Junction Temperature  
Tj  
－40 to ＋125  
－40 to ＋125  
2.7（28）  
11（115）  
510  
Tstg  
＊Storage Temperature  
Mounting（M5） Recommended 1.5-2.5（15-25）  
Terminal（M8） Recommended 8.8-10（90-105）  
Mounting  
Torque  
N･ｍ  
（㎏f･B）  
g
Mass  
■Electrical Characteristics  
Symbol  
DRM  
I
Item  
Conditions  
at V , single phase, half wave, Tj＝125℃  
at V , single phase, half wave, Tj＝125℃  
On-State Current 400A, Tj＝25℃ Inst. measurement  
Ratings  
50  
Unit  
mA  
mA  
V
Repetitive Peak Off-State Current, max.  
Repetitive Peak Reverse Current, max.  
Peak On-State Voltage, max.  
Gate Trigger Current/Voltage, max.  
Non-Trigger Gate, Voltage. min.  
Turn On Time, max.  
DRM  
DRM  
RRM  
I
50  
＊
＊
TM  
V
1.40  
GT  
GT  
T
D
I ／V  
Tj＝25℃，I ＝1A，V ＝6V  
100 3  
mA V  
/
/
1
GD  
V
D
DRM  
0.25  
10  
V
Tj＝125℃，V ＝／V  
2
1
tgt  
T
G
D
DRM  
G
I ＝130A，I ＝100mA，Tj＝25℃，V ＝  
／
2V ，dI dt＝0.1A μs  
μs  
/
/
2
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, min.  
Holding Current, typ.  
D
DRM  
500  
50  
dv／dt  
Tj＝125℃, V ＝／V , Exponential wave.  
V μs  
/
3
H
I
mA  
mA  
Tj＝25℃  
Tj＝25℃  
Junction to case  
L
I
Lutching Current, typ.  
100  
0.2  
Rth（j-c）＊Thermal Impedance, max.  
℃ W  
/
＊mark：Thyristor and Diode part. No mark：Thyristor part  
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com  
12

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