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PCF8582C-2T

更新时间: 2024-11-25 22:38:31
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恩智浦 - NXP 存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
20页 156K
描述
256 x 8-bit CMOS EEPROMS with I2C-bus interface

PCF8582C-2T 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:3.90 MM, PLASTIC, MS-012, SOT-96-1, SOP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.78Is Samacsys:N
其他特性:DATA RETENTION > 10 YEARS; WIRE I2C INTERFACE最大时钟频率 (fCLK):0.1 MHz
数据保留时间-最小值:10耐久性:100000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节:1010DDDRJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4长度:4.9 mm
内存密度:2048 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:8
字数:256 words字数代码:256
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256X8
输出特性:OPEN-DRAIN封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm串行总线类型:I2C
最大待机电流:0.0000035 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.002 mA最大供电电压 (Vsup):6 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:3.9 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
Base Number Matches:1

PCF8582C-2T 数据手册

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INTEGRATED CIRCUITS  
DATA SHEET  
PCX8582X-2 Family  
256 x 8-bit CMOS EEPROMS  
with I2  
December 1994  
Product specification  
Supersedes data of February 1992  
File under Integrated Circuits, IC12  
Philips Semiconductors  

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