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PC28F512P30TF PDF预览

PC28F512P30TF

更新时间： 2024-02-20 07:50:01
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
82页 979K
描述
Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-64

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PC28F512P30TF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：TBGA, BGA64,8X8,40
针数：64Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.6最长访问时间：100 ns
启动块：TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B64长度：10 mm
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：4,511端子数量：64
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装等效代码：BGA64,8X8,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE页面大小：16 words
并行/串行：PARALLEL电源：1.8,1.8/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,64K
最大待机电流：0.000225 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

PC28F512P30TF 数据手册

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Numonyx™ Axcell™ P30-65nm Flash Memory  
512-Mbit, 1-Gbit Monolithic  
Datasheet  
Product Features  
„ High performance:  
„ Enhanced Security:  
— 100ns initial access time for Easy BGA  
— 110ns initial access time for TSOP  
— 25ns 16-word asynchronous-page read mode  
— 52MHz with zero WAIT states, 17ns clock-to-  
data output synchronous-burst read mode  
— 4-, 8-, 16- and continuous-word options for  
burst mode  
— Absolute write protection: VPP = VSS  
— Power-transition erase/program lockout  
— Individual zero-latency block locking  
— Individual block lock-down capability  
— Password Access feature  
— One-Time Programmable Register:  
— 64 OTP bits, programmed with unique  
information by Numonyx  
— Buffered Enhanced Factory Programming at  
2.0MByte/s (typ) using 512-word buffer  
— 1.8V buffered programming at 1.46MByte/s  
(Typ) using 512-word buffer  
— 2112 OTP bits, available for customer  
programming  
„ Software:  
„ Architecture:  
— 20µs (Typ) program suspend  
— 20µs (Typ) erase suspend  
— Multi-Level Cell Technology: Highest Density  
at Lowest Cost  
— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized  
— Basic Command Set and Extended Function  
Interface (EFI) Command Set compatible  
— Common Flash Interface capable  
„ Density and Packaging  
— Symmetrically-blocked architecture  
— Asymmetrically-blocked architecture, Four  
32-KByte parameter blocks: Top or Bottom  
configuration  
— 56-Lead TSOP (512-Mbit, 1-Gbit)  
— 64-Ball Easy BGA (512-Mbit, 1-Gbit)  
— 16-bit wide data bus  
— 128-KByte array blocks  
— Blank Check to verify an erase block  
„ Voltage and Power:  
„ Quality and Reliability  
— VCC (core) voltage: 1.7V – 2.0V  
— VCCQ (I/O) voltage: 1.7V – 3.6V  
— Standby current: 70µA(Typ) for 512-Mbit,  
75µA(Typ) for 1-Gbit  
— Operating temperature: –40°C to +85°C  
— Minimum 100,000 erase cycles  
— Numonyx™ ETOX™ X process technology  
— Continuous synchronous read current: 21mA  
(Typ)/24mA (Max) at 52MHz  
Datasheet  
1
Aug 2009  
Order Number: 208042-02  
1234567...82

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PC28F512P30TFA MICRON

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 		65nm; MLC; 28F512P30B/E/TF, 28F00AP30B/E/TF, 28F00BP30EF
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