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PC28F512M29EWLA

更新时间： 2024-01-18 10:09:47

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
117页	1214K
描述
Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-64

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PC28F512M29EWLA 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	11 X 13 MM, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-64	针数：	64
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	100 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM/TOP
JESD-30 代码：	R-PBGA-B64	长度：	13 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	64	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
类型：	NOR TYPE	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

PC28F512M29EWLA 数据手册

Numonyx™ Axcell™ M29EW

Datasheet

256-Mbit, 512-Mbit, 1-Gbit, 2-Gbit (x8/x16, uniform block)

3 V supply flash memory

Features

Unlock Bypass/Block Erase/Chip Erase/Write

Supply voltage

to Buffer

— V_CC= 2.7 to 3.6 V for Program, Erase and

Read

— V_CCQ= 1.65 to 3.6 V for I/O buffers

Asynchronous Random/Page Read

— Page size: 16 words or 32 bytes

— Page access: 25 ns

— Faster Buffered/Batch Programming

— Faster Block and Chip Erase

Vpp/WP# pin protection

— Protects first or last block regardless of

block protection settings

Software protection

— Volatile Protection

— Random access: 100ns (Fortified BGA);

110 ns (TSOP)

— Non-Volatile Protection

— Password Protection

— Password Access

Buffer Program

— 512-word program buffer

Programming time

— 0.68 µs per byte (1.48MB/s) typical when

using full buffer size in buffer program

Memory organization

— Uniform blocks, 128 Kbytes/64 Kwords

each

Program/Erase controller

— Embedded byte/word program algorithms

Program/ Erase Suspend and Resume

Extended Memory block

— 128-word/256-byte block for permanent,

secure identification.

— can be programmed and locked by factory

or by the customer

Low power consumption

— Standby and automatic standby

Minimum 100,000 Program/Erase cycles per

block

— Read from any block during Program

Suspend

— Read and Program another block during

Erase Suspend

ETOX^TM* X (65nm) MLC technology

Fortified BGA and TSOP packages

Green packages available

— RoHS Compliant

— Halogen Free

November 2009

208045-07

12 3 4 5 6 7...117

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PC28F512M29EWLB	MICRON	获取价格	Parallel NOR Flash Embedded Memory
PC28F512M29EWLE	MICRON	获取价格	(x8/x16), 3V, Uniform Block, Parallel NOR Flash
PC28F512P30BF	MICRON	获取价格	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
PC28F512P30BF	NUMONYX	获取价格	Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-64
PC28F512P30BFA	NUMONYX	获取价格	Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-64
PC28F512P30BFA	MICRON	获取价格	65nm; MLC; 28F512P30B/E/TF, 28F00AP30B/E/TF, 28F00BP30EF
PC28F512P30BFB	MICRON	获取价格	65nm; MLC; 28F512P30B/E/TF, 28F00AP30B/E/TF, 28F00BP30EF
PC28F512P30EF	MICRON	获取价格	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
PC28F512P30EF	NUMONYX	获取价格	Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-64
PC28F512P30EFA	MICRON	获取价格	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

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