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PC28F320J3F75

更新时间： 2023-02-15 00:00:00

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恒忆 - NUMONYX		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
66页	707K
描述
Flash, 2MX16, 75ns, PBGA64, LEAD FREE, ESBGA-64

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PC28F320J3F75 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TBGA, BGA64,8X8,40	针数：	64
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.61
最长访问时间：	75 ns	备用内存宽度：	8
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B64
JESD-609代码：	e1	长度：	13 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	32	端子数量：	64
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装等效代码：	BGA64,8X8,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE	页面大小：	4/8 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	128K
最大待机电流：	0.00012 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

PC28F320J3F75 数据手册

Numonyx™ Embedded Flash Memory (J3 65

nm) Single Bit per Cell (SBC)

32, 64, and 128 Mbit

Datasheet

Product Features

Architecture

Security

— Symmetrical 128-KB blocks

— 128 Mbit (128 blocks)

— 64 Mbit (64 blocks)

— 32 Mbit (32 blocks)

Performance

— Enhanced security options for code

protection

— 128-bit Protection Register:

64 unique device identification bits

64 user-programmable OTP bits

— Absolute protection with V_PEN= Vss

— Individual block locking

— Block erase/program lockout during power

transitions

— 75 ns Initial Access Speed

— 25 ns 8-word Asynchronous page-mode

reads

— 256-Word write buffer for x16 mode, 256-

Byte write buffer for x8 mode;

Software

— Program and erase suspend support

4 µs per Byte Effective programming time

— Flash Data Integrator (FDI), Common Flash

Interface (CFI) Compatible

— Scalable Command Set

System Voltage

— V_CC= 2.7 V to 3.6 V

— V_CCQ= 2.7 V to 3.6 V

Packaging

Quality and Reliability

— Operating temperature:

-40 °C to +85 °C

— 100K Minimum erase cycles per block

— 65 nm ETOX™ X Flash Technology

— 56-Lead TSOP

— 64-Ball Numonyx^™Easy BGA package

208032-01

May 2009

12 3 4 5 6 7...66

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PC28F320J3F-75	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 75ns, PBGA64, LEAD FREE, ESBGA-64
PC28F320J3F75A	MICRON	获取价格	32Mb, 64Mb, 128Mb, 65nm Embedded Parallel NOR Flash Memory, Single Bit Per Cell (SBC)
PC28F320J3F75B	MICRON	获取价格	32Mb, 64Mb, 128Mb, 65nm Embedded Parallel NOR Flash Memory, Single Bit Per Cell (SBC)
PC28F320J3F75D	MICRON	获取价格	32Mb, 64Mb, 128Mb, 65nm Embedded Parallel NOR Flash Memory, Single Bit Per Cell (SBC)
PC28F320J3F75E	MICRON	获取价格	32Mb, 64Mb, 128Mb, 65nm Embedded Parallel NOR Flash Memory, Single Bit Per Cell (SBC)
PC28F512G18FE	MICRON	获取价格	128Mb, 256Mb, 512Mb, 1Gb StrataFlash Memory
PC28F512G18FF	MICRON	获取价格	128Mb, 256Mb, 512Mb, 1Gb StrataFlash Memory
PC28F512M29EWH	NUMONYX	获取价格	Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-64
PC28F512M29EWHA	MICRON	获取价格	(x8/x16), 3V, Uniform Block, Parallel NOR Flash
PC28F512M29EWHB	MICRON	获取价格	Parallel NOR Flash Embedded Memory

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