是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TBGA, BGA64,8X8,40 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.82 | 最长访问时间: | 85 ns |
启动块: | BOTTOM | 最大时钟频率 (fCLK): | 52 MHz |
命令用户界面: | YES | 通用闪存接口: | YES |
数据轮询: | NO | JESD-30 代码: | R-PBGA-B64 |
长度: | 13 mm | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 4,255 |
端子数量: | 64 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS/ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 16MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TBGA | 封装等效代码: | BGA64,8X8,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
页面大小: | 4 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.8,1.8/3.3 V |
编程电压: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 部门规模: | 16K,64K |
最大待机电流: | 0.000115 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.051 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 10 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PC28F256P30B85B | NUMONYX |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 88ns, PBGA64, LEAD FREE, BGA-64 | |
PC28F256P30B85D | NUMONYX |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 88ns, PBGA64, LEAD FREE, BGA-64 | |
PC28F256P30B85G | NUMONYX |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 88ns, PBGA64, LEAD FREE, BGA-64 | |
PC28F256P30BFA | MICRON |
获取价格 |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) | |
PC28F256P30BFB | MICRON |
获取价格 |
1.7V to 2.0V VCC (core) voltage, 1.7V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage | |
PC28F256P30BFE | MICRON |
获取价格 |
256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm | |
PC28F256P30BFF | MICRON |
获取价格 |
256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm | |
PC28F256P30BFP | MICRON |
获取价格 |
1.7V to 2.0V VCC (core) voltage, 1.7V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage | |
PC28F256P30BFR | MICRON |
获取价格 |
1.7V to 2.0V VCC (core) voltage, 1.7V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage | |
PC28F256P30T85 | NUMONYX |
获取价格 |
Numonyx StrataFlash Embedded Memory |