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PC28F256M29EWLB

更新时间： 2024-02-02 18:15:23
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
75页 855K
描述
Parallel NOR Flash Embedded Memory

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PC28F256M29EWLB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：11 X 13 MM, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-64针数：64
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.81
最长访问时间：100 ns备用内存宽度：8
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PBGA-B64
JESD-609代码：e1长度：13 mm
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：256端子数量：64
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：16MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装等效代码：BGA64,8X8,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE页面大小：16/32 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.4 mm部门规模：128K
最大待机电流：0.00021 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.031 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：11 mmBase Number Matches：1

PC28F256M29EWLB 数据手册

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256Mb, 512Mb, 1Gb, 2Gb: 3V Embedded Parallel NOR Flash  
Features  
Parallel NOR Flash Embedded Memory  
JS28F256M29EWxx, PC28F256M29EWxx, RC28F256M29EWxx  
JS28F512M29EWxx, PC28F512M29EWxx, RC28F512M29EWxx  
JS28F00AM29EWxx, PC28F00AM29EWxx, RC28F00AM29EWxx  
PC28F00BM29EWxx, RC28F00BM29EWxx  
• VPP/WP# pin protection  
– Protects first or last block regardless of block  
protection settings  
• Software protection  
Features  
• 2Gb = stacked device (two 1Gb die)  
• Supply voltage  
– VCC = 2.7–3.6V (program, erase, read)  
– VCCQ = 1.65–3.6V (I/O buffers)  
• Asynchronous random/page read  
– Page size: 16 words or 32 bytes  
– Page access: 25ns  
– Random access: 100ns (Fortified BGA);  
110ns (TSOP)  
• Buffer program: 512-word program buffer  
• Program time  
– Volatile protection  
– Nonvolatile protection  
– Password protection  
– Password access  
• Extended memory block  
– 128-word (256-byte) block for permanent, secure  
identification  
– Programmed or locked at the factory or by the  
customer  
– 0.88µs per byte (1.14 MB/s) TYP when using full  
512-word buffer size in buffer program  
• Memory organization  
– Uniform blocks: 128-Kbytes or 64-Kwords each  
• Program/erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
• Program/erase suspend and resume capability  
– Read from any block during a PROGRAM SUS-  
PEND operation  
– Read or program another block during an ERASE  
SUSPEND operation  
• Low power consumption: Standby mode  
• JESD47H-compliant  
– 100,000 minimum ERASE cycles per block  
– Data retention: 20 years (TYP)  
• 65nm multilevel cell (MLC) process technology  
• Fortified BGA and TSOP packages  
• Green packages available  
– RoHS-compliant  
– Halogen-free  
• Operating temperature  
– Ambient: –40°C to +85°C  
• BLANK CHECK operation to verify an erased block  
• Unlock bypass, block erase, chip erase, and write to  
buffer capability  
– Fast buffered/batch programming  
– Fast block/chip erase  
PDF: 09005aef849b4b09  
m29ew_256mb_2gb.pdf - Rev. B 8/12 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2012 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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PC28F256M29EWLB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RC28F256M29EWLA MICRON

完全替代

 Parallel NOR Flash Embedded Memory
PC28F256M29EWLA MICRON

完全替代

 Parallel NOR Flash Embedded Memory
PC28F256M29EWHA MICRON

完全替代

 Parallel NOR Flash Embedded Memory

与PC28F256M29EWLB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PC28F256M29EWLD MICRON

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 		(x8/x16), 3V, Uniform Block, Parallel NOR Flash
PC28F256P30B MICRON

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 		Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
PC28F256P30B85 INTEL

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 		Intel StrataFlash Embedded Memory
PC28F256P30B85 NUMONYX

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 		Numonyx StrataFlash Embedded Memory
PC28F256P30B85A NUMONYX

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 		Flash, 16MX16, 88ns, PBGA64, LEAD FREE, BGA-64
PC28F256P30B85B NUMONYX

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 		Flash, 16MX16, 88ns, PBGA64, LEAD FREE, BGA-64
PC28F256P30B85D NUMONYX

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 		Flash, 16MX16, 88ns, PBGA64, LEAD FREE, BGA-64
PC28F256P30B85G NUMONYX

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 		Flash, 16MX16, 88ns, PBGA64, LEAD FREE, BGA-64
PC28F256P30BFA MICRON

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 		Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
PC28F256P30BFB MICRON

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 		1.7V to 2.0V VCC (core) voltage, 1.7V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage

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