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PC28F128P33BF60D

更新时间： 2024-09-21 14:59:03

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镁光 - MICRON		/
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Legacy NOR Flash

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PC28F128P33BF60D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	BGA, BGA64,8X8,40	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	最长访问时间：	60 ns
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	S-PBGA-B64	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
部门数/规模：	4,127	端子数量：	64
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA64,8X8,40
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
页面大小：	8 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	2.5/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
部门规模：	16K,64K	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.028 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

PC28F128P33BF60D 数据手册

Numonyx P33-65nm Flash Memory

128-Mbit, 64-Mbit Single Bit per Cell (SBC)

Datasheet

Product Features

High performance:

Security:

— 60ns initial access time for Easy BGA

— 70ns initial access time for TSOP

— 25ns 8-word asynchronous-page read

mode

— 52MHz with zero wait states, 17ns clock-to-

data output synchronous-burst read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word options

for burst mode

— One-Time Programmable Registers:

— 64 OTP bits, programmed with unique

information by Numonyx

— 2112 OTP bits, available for customer

programming

— Absolute write protection: V_PP= V_SS

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down capability

— Password Access feature

— 3.0V buffered programming at 1.8MByte/s

(Typ) using 256-word buffer

— Buffered Enhanced Factory Programming at

3.2MByte/s (typ) using 256-word buffer

Software:

— 20µs (Typ) program suspend

— 20µs (Typ) erase suspend

— Basic Command Set and Extended Function

Interface (EFI) Command Set compatible

Architecture:

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or

bottom configuration

— 128-KByte main blocks

— Common Flash Interface capable

Density and Packaging:

— Blank Check to verify an erased block

— 56-Lead TSOP package (128-Mbit, 64-Mbit)

— 64-Ball Easy BGA package (128-Mbit, 64-

Mbit)

Voltage and Power:

— V_CC(core) voltage: 2.3V – 3.6V

— V_CCQ(I/O) voltage: 2.3V – 3.6V

— 16-bit wide data bus

— Standby current: 35μA(Typ) for 64-Mbit,

50μA(Typ) for 128-Mbit

Quality and Reliability:

— JESD47E Compliant

— Continuous synchronous read current:

23mA (Typ) at 52 MHz

— Operating temperature: –40°C to +85°C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— 65nm process technology

Datasheet

Jul 2011

Order Number: 208034-04

12 3 4 5 6 7...88

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