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PC28F128M29EWLA

更新时间： 2024-11-09 14:59:03
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
87页 1118K
描述
(x8/x16), 3V, Single Bit Per Cell, Page Read, Parallel NOR Flash Memory

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PC28F128M29EWLA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：LBGA, BGA64,8X8,40
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.78
Samacsys Description：NOR Flash PARALLEL NOR SLC 8MX16 LBGA最长访问时间：65 ns
备用内存宽度：8命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B64JESD-609代码：e1
长度：13 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：128
端子数量：64字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LBGA封装等效代码：BGA64,8X8,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
页面大小：8/16 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.4 mm
部门规模：128K最大待机电流：0.00012 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：11 mm
Base Number Matches：1

PC28F128M29EWLA 数据手册

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32Mb, 64Mb, 128Mb: 3V Embedded Parallel NOR Flash  
Features  
Parallel NOR Flash Embedded Memory  
JR28F032M29EWXX; PZ28F032M29EWXX; JS28F064M29EWXX  
PC28F064M29EWXX; JR28F064M29EWXX; PZ28F064M29EWXX  
JS28F128M29EWXX; PC28F128M29EWXX; RC28F128M29EWXX  
• VPP/WP# pin protection  
– VPPH voltage on VPP to accelerate programming  
Features  
• Supply voltage  
– VCC = 2.7–3.6V (program, erase, read)  
– VCCQ = 1.65–3.6V (I/O buffers)  
• Asynchronous random or page read  
– Page size: 8 words or 16 bytes  
performance  
– Protects highest/lowest block (H/L uniform) or  
top/bottom two blocks (T/B boot)  
• Software protection  
– Volatile protection  
– Nonvolatile protection  
– Page access: 25ns  
– Random access: 60ns (BGA); 70ns (TSOP)  
• Buffer program: 256-word MAX program buffer  
• Program time  
– Password protection  
– Password access  
• Extended memory block  
– 0.56µs per byte (1.8 MB/s TYP when using 256-  
word buffer size in buffer program without VPPH  
– 0.31µs per byte (3.2 MB/s TYP when using 256-  
– 128-word (256-byte) block for permanent secure  
identification  
– Program or lock implemented at the factory or by  
the customer  
• Low-power consumption: Standby mode  
• JESD47H-compliant  
– 100,000 minimum ERASE cycles per block  
– Data retention: 20 years (TYP)  
• 65nm single-bit cell process technology  
• Packages (JEDEC-standard)  
– 56-pin TSOP (128Mb, 64Mb)  
– 48-pin TSOP (64Mb, 32Mb)  
– 64-ball FBGA (128Mb, 64Mb)  
– 48-ball BGA (64Mb, 32Mb)  
• Green packages available  
– RoHS-compliant  
)
word buffer size in buffer program with VPPH  
• Memory organization  
)
– 32Mb: 64 main blocks, 64KB each, or eight 8KB  
boot blocks (top or bottom) and 63 main blocks,  
64KB each  
– 64Mb: 128 main blocks, 64KB each, or eight 8KB  
boot blocks (top or bottom) and 127 main blocks,  
64 KB each  
– 128Mb: 128 main blocks, 128KB each  
• Program/erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
• Program/erase suspend and resume capability  
– READ operation on any block during a PRO-  
GRAM SUSPEND operation  
– Halogen-free  
– READ or PROGRAM operation on one block dur-  
ing an ERASE SUSPEND operation on another  
block  
• Operating temperature  
– Ambient: –40°C to +85°C  
• BLANK CHECK operation to verify an erased block  
• Unlock bypass, block erase, chip erase, and write to  
buffer capability  
– Fast buffered/batch programming  
– Fast block and chip erase  
PDF: 09005aef84dc44a7  
m29ew_32Mb-128Mb.pdf - Rev. B 11/12 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2012 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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PC28F128M29EWLA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PC28F128M29EWLX MICRON

完全替代

 Parallel NOR Flash Embedded Memory
PC28F128M29EWHX MICRON

完全替代

 Parallel NOR Flash Embedded Memory

与PC28F128M29EWLA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PC28F128M29EWLX MICRON

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 		Parallel NOR Flash Embedded Memory
PC28F128M29EWXX MICRON

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 		Parallel NOR Flash Embedded Memory
PC28F128P30B85 NUMONYX

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 		Numonyx StrataFlash Embedded Memory
PC28F128P30B85 INTEL

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 		Intel StrataFlash Embedded Memory
PC28F128P30B85A NUMONYX

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 		暂无描述
PC28F128P30B85B NUMONYX

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 		Flash, 8MX16, 88ns, PBGA64, LEAD FREE, BGA-64
PC28F128P30B85D NUMONYX

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 		Flash, 8MX16, 88ns, PBGA64, LEAD FREE, BGA-64
PC28F128P30B85E NUMONYX

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 		暂无描述
PC28F128P30BF65A MICRON

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 		64Mb, 128Mb, 65nm, Single Bit Per Cell, Parallel NOR Flash
PC28F128P30BF65E MICRON

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 		64Mb, 128Mb, 65nm, Single Bit Per Cell, Parallel NOR Flash

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