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PBYR2100CTT/R

更新时间: 2024-11-19 19:44:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 53K
描述
DIODE 1 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-4, Signal Diode

PBYR2100CTT/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:2端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

PBYR2100CTT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
page  
PBYR2100CT  
Schottky barrier double diode  
1999 May 25  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Oct 14  

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