5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | SURGE CAPABILITY |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 150 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 20 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 80 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBYR20-80CTBT/R | PHILIPS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 20A, 80V V(RRM), |
|
| PBYR2100CT | NXP |
获取价格 |
Schottky barrier double diode |
|
| PBYR2100CT115 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| PBYR2100CT135 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| PBYR2100CTT/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 1 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-4, Signal Diode |
|
| PBYR2150CT | NXP |
获取价格 |
Schottky barrier double diode |
|
| PBYR2150CT135 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1 A, 150 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| PBYR2-20CTT/R | PHILIPS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2A, 20V V(RRM), |
|
| PBYR2-20CTT/R | NXP |
获取价格 |
2A, 20V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
|
| PBYR225CT | NXP |
获取价格 |
Rectifier diodes Schottky barrier |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
