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PBSS4320X

更新时间: 2024-01-16 00:34:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 114K
描述
20 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

PBSS4320X 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-89
包装说明:PLASTIC, SC-62, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.38外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):220
JEDEC-95代码:TO-243AAJESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1.6 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

PBSS4320X 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PBSS4320X  
20 V, 3 A  
NPN low VCEsat (BISS) transistor  
Product specification  
2004 Nov 03  
Supersedes data of 2003 Dec 15  

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