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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | PLASTIC, SOP-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.22 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 6.7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4112PAN | NXP |
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120 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4112PAN | NEXPERIA |
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120 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4112PANP | NXP |
获取价格 |
120 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4112PANP | NEXPERIA |
获取价格 |
120 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4120T | NXP |
获取价格 |
20 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4120T | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V; 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4120T | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-23 |
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| PBSS4120T,215 | NXP |
获取价格 |
PBSS4120T - 20 V; 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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| PBSS4130PAN | NXP |
获取价格 |
30 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4130PAN | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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