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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> PBLS4003D

PBLS4003D PDF预览

PBLS4003D

更新时间： 2024-01-25 19:43:19

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	956K
描述
Low VCEsat (BISS) transistors

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PBLS4003D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.56	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：	30	元件数量：	2
极性/信道类型：	NPN/PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PBLS4003D 数据手册

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与PBLS4003D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PBLS4003D,115	NXP	PBLS4003D - 40 V PNP BISS loadswitch TSOP 6-Pin	获取价格
PBLS4003D/T1	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, 6 PI	获取价格
PBLS4003D/T2	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, 6 PI	获取价格
PBLS4003DT/R	NXP	SPECIAL-PURPOSE TRANSISTOR,40V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-457	获取价格
PBLS4003V	NXP	40 V PNP BISS loadswitch	获取价格
PBLS4003Y	NEXPERIA	40 V 500 mA PNP/NPN loadswitch double transistorProduction	获取价格

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