PBLS4002Y

更新时间： 2024-02-07 06:06:46

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恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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14页	87K
描述
40 V PNP BISS loadswitch

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PBLS4002Y 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-88	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN AND PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

PBLS4002Y 数据手册

PBLS4002Y; PBLS4002V

40 V PNP BISS loadswitch

Rev. 01 — 6 December 2004

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Low V_CEsatPNP transistor and NPN resistor-equipped transistor in one package.

Table 1:

Product overview

Type number

Package

Philips

JEITA

SC-88

PBLS4002Y

PBLS4002V

SOT363

SOT666

1.2 Features

■ Low V_CEsat(BISS) and resistor-equipped transistor in one package

■ Low ‘threshold’ voltage (< 1 V) compared to MOSFET

■ Low drive power required

■ Space-saving solution

■ Reduction of component count.

1.3 Applications

■ Supply line switches

■ Battery charger switches

■ High-side switches for LEDs, drivers and backlights

■ Portable equipment.

1.4 Quick reference data

Table 2:

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

TR1; PNP: low V_CEsattransistor

V_CEO

I_C

collector-emitter voltage

collector-current (DC)

equivalent on-resistance

open base

−40

−500

700

mΩ

R_CEsat

I_C= −500 mA;

440

I_B= −50 mA

TR2; NPN: resistor-equipped transistor

V_CEOcollector-emitter voltage

open base

12 3 4 5 6 7...14

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