PBL40305

更新时间： 2024-02-04 22:28:57

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爱立信 - ERICSSON		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器 GSM 高功率电源
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Multiband GSM Power Amplifier

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PBL40305 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SSOP28,.25	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
其他特性：	IT CAN ALSO OPERATE AT 1710 TO 1785 MHZ	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	JESD-609代码：	e0
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	2
端子数量：	28	最大工作频率：	915 MHz
最小工作频率：	880 MHz	最高工作温度：	80 °C
最低工作温度：	-25 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	SSOP28,.25	电源：	3.2 V
射频/微波设备类型：	NARROW BAND HIGH POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压驻波比：	6
Base Number Matches：	1

PBL40305 数据手册

PBL 403 05

January 2001

PBL 403 05

Multiband GSM Power Amplifier

Description.

Key features.

The PBL 403 05 is a dual line-up GaAs MMIC power amplifier intended for use in

•

One IC handles GSM900, DCS

1800 and PCS1900 bands.

multiband GSM terminals. Powered of a 3.2V supply it delivers more than 34.5 dBm

output power at GSM900 and more than 31.5 dBm output power at DCS1800 or

PCS1900 frequencies.

The circuit uses an analog control signal to control the output power level. The circuit

is housed in a specially designed QSOP28 (150 mil body) package with no special

mounting requirements.

•

Low cost solution.

Inputs matched to 50 Ω

Digital band select function.

Analog gain control.

The circuit is manufactured in a high performance MESFET process that ensures

ruggednes for environmental variations.

Proven GaAs MESFET-reliability.

Tape and Reel.

SMD QSOP 28 package.

VD2_DCS

VDC

VD1_DCS

Current generator

RFIN_DCS

VD3_DCS

RFIN_GSM

RFOUTGSM

BIAS

VD2_GSM

VD3GSM

VSEL

VNEG

VAPC

VD1_GSM

Figure 1. Block diagram.

Figure 2. Package outlook.

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