2SK123

更新时间： 2024-01-02 06:57:42

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松下 - PANASONIC		晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
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描述
Silicon N-Channel Junction FET

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2SK123 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.83	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	0.002 A
FET 技术：	JUNCTION	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	100 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK123 数据手册

Silicon Junction FETs (Small Signal)

2SK123

Silicon N-Channel Junction FET

For impedance conversion in low frequency

For electret capacitor microphone

unit: mm

+0.2

5.8−0.3

+0.25

1.5−0.05

2.4±0.1

1.9±0.1

■ Features

● High mutual conductance g_m

● Low noise voltage of NV

■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Drain to Source voltage

Drain to Gate voltage

Drain to Source current

Drain to Gate current

Gate to Source current

Allowable power dissipation

Symbol

V_DSO

V_DGO

I_DSO

Ratings

Unit

1: Drain

2: Source

3: Gate

°C

I_DGO

I_GSO

Mini Flat Package (3-pin)

P_D

200

Marking Symbol: 1H

Note: For the forming type, (Y) is indicated after the part No.

Operating ambient temperature T_opr

Storage temperature T_stg

−20 to +80

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Current consumption

Symbol

I_D

Conditions

min

100

typ

max

600

480

Unit

µA

V_D= 4.5V, C_O= 10pF, R_D= 2.2kΩ ± 1%

V_DS= 4.5V, V_GS= 0

Drain to Source cut-off current

Mutual conductance

I_DSS

g_m

V_D= 4.5V, V_GS= 0, f = 1kHz

V_D= 4.5V, R_D= 2.2kΩ ± 1%

C_O= 10pF, A-curve

0.7

1.6

Noise figure

G_V1

G_V2

G_V3

µV

V_D= 4.5V, R_D= 2.2kΩ ± 1%

C_O= 10pF, e_G= 10mV, f = 1kHz

V_D= 12V, R_D= 2.2kΩ ± 1%

C_O= 10pF, e_G= 10mV, f = 1kHz

V_D= 1.5V, R_D= 2.2kΩ ± 1%

C_O= 10pF, e_G= 10mV, f = 1kHz

−3

Voltage gain

3.3

−4.5

− 0.3

∆|G_V2− G_V1

∆|G_V1− G_V3

+3.5

Voltage gain difference

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