2SK1228TSK

更新时间： 2024-01-17 01:14:27

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描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SK1228TSK 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK1228TSK 数据手册

Silicon MOS FETs (Small Signal)

2SK1228

Silicon N-Channel MOS FET

For switching

unit: mm

2.8 –⁺0⁰.^.3²

0.65±0.15

1.5 –⁺0⁰.^.0²5⁵

0.65±0.15

■ Features

● High-speed switching

● Wide frequency band

● Incorporating a built-in gate protection-diode

● Allowing 2.5V drive

■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Drain to Source voltage

Gate to Source voltage

Drain current

Symbol

V_DS

V_GSO

I_D

Ratings

Unit

0.1 to 0.3

0.4±0.2

°C

Max drain current

I_DP

100

1: Gate

2: Source

3: Drain

JEDEC: TO-236

EIAJ: SC-59

Mini Type Package (3-pin)

Allowable power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

P_D

150

T_ch

150

Marking Symbol: 4V

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

I_DSS

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

V_DS= 20V, V_GS= 0

I_GSS

V_GS= 10V, V_DS= 0

I_D= 10µA, V_GS= 0

I_D= 100µA, V_DS= 5V

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

100

0.8

Gate threshold voltage

V_th

0.5

1.1

Drain to Source ON-resistance

Forward transfer admittance

R_DS(on)

| Y_fs|

_D= 10mA, V_GS= 2.5V

Ω

I_D= 10mA, V_DS= 5V, f = 1kHz

V_DS= 5V, V_GS= 0, f = 1MHz

µs

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

4.5

4.1

1.2

0.2

Turn-on time

Turn-off time

t_on

V_DD= 5V, V_GS= 0 to 2.5V, R_L= 470Ω

V_DD= 5V, V_GS= 2.5 to 0V, R_L= 470Ω

t_off

µs

¹Pulse measurement

²t_on, t_offmeasurement circuit

V_out

470Ω

90%

10%

V_in

V_out

V_GS= 2.5V

V_DD= 5V

10%

90%

50Ω

t_on

t_off

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