2SK1104

更新时间： 2024-01-18 20:31:28

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松下 - PANASONIC		晶体小信号场效应晶体管开关
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描述
Silicon N-Channel Junction FET

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2SK1104 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-72
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	最大漏极电流 (ID)：	0.02 A
FET 技术：	JUNCTION	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK1104 数据手册

Silicon Junction FETs (Small Signal)

2SK1104

Silicon N-Channel Junction FET

For switching

unit: mm

4.0±0.2

Complementary to 2SJ164

■ Features

● Low ON-resistance

● Low-noise characteristics

■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

marking

Parameter

Gate to Drain voltage

Drain current

Symbol

V_GDS

I_D

Ratings

Unit

−65

°C

Gate current

I_G

1.27 1.27

1: Source

2: Gate

2.54±0.15

Allowable power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

P_D

300

3: Drain

EIAJ: SC-72

New S Type Package

T_ch

150

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

Gate to Drain voltage

I_DSS

V_DS= 10V, V_GS= 0

0.2

I_GSS

V_GS= −30V, V_DS= 0

−10

V_GDS

V_GSC

| Y_fs|

R_DS(on)

I_G= −10µA, V_DS= 0

−65

Gate to Source cut-off voltage

Forward transfer admittance

Drain to Source ON-resistance

V_DS= 10V, I_D= 10µA

V_DS= 10V, I_D= 1mA, f = 1kHz

V_DS= 10mV, V_GS= 0

−1.5

2.5

250

−3.5

1.8

Ω

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

V_DS= 10V, V_GS= 0, f = 1MHz

1.3

1.5

^*I_DSSrank classification

Runk

I_DSS(mA)

0.2 to 1

0.6 to 1.5

1 to 3

2.5 to 6

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