2SK0665

更新时间： 2024-02-02 23:36:29

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管输入元件
页数	文件大小	规格书
3页	80K
描述
Silicon MOS FETs

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK0665 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
最大漏源导通电阻：	50 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

2SK0665 数据手册

Silicon MOS FETs (Small Signal)

2SK0665 (2SK665)

Silicon N-Channel MOS FET

unit: mm

+0.10

–0.05

+0.1

–0.0

0.15

0.3

For switching

I Features

G High-speed switching

G Small drive current owing to high input inpedance

G High electrostatic breakdown voltage

(0.65) (0.65)

1.3±0.1

2.0±0.2

10°

I Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Drain to Source voltage

Gate to Source voltage

Drain current

Symbol

V_DS

V_GSO

I_D

Ratings

Unit

100

1: Gate

2: Source

3: Drain

EIAJ: SC-70

SMini3-G1 Package

°C

Max drain current

I_DP

200

Allowable power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

P_D

150

Marking Symbol: 3O

Internal Connection

T_ch

150

T_stg

−55 to +150

°C

R₁

R₂

I Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

I_DSS

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

V_DS= 10V, V_GS= 0

I_GSS

V_GS= 8V, V_DS= 0

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

I_D= 100µA, V_GS= 0

Gate threshold voltage

Drain to Source ON-resistance

Forward transfer admittance

High level output voltage

Low level output voltage

Input resistance

V_th

I_D= 100µA, V_DS= V_GS

I_D= 20mA, V_GS= 5V

1.5

3.5

R_DS(on)

| Y_fs|

V_OH

V_SL

Ω

I_D= 20mA, V_DS= 5V, f = 1kHz

V_DD= 5V, V_GS= 1V, R_L= 200Ω

V_DD= 5V, V_GS= 5V, R_L= 200Ω

4.5

200

R₁+ R₂

100

kΩ

µs

Turn-on time

t_on

V_DD= 5V, V_GS= 0 to 5V, R_L= 200Ω

V_DD= 5V, V_GS= 5 to 0V, R_L= 200Ω

Turn-off time

t_off

¹Resistance ratio R₁/R₂= 1/50

t_on, t_offmeasurement circuit ³Pulse measurement

V_out

200Ω

90%

10%

V_in

V_out

V_GS= 5V

50Ω

V_DD= 5V

10%

90%

t_on

t_off

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

291

12 3

下载PDF

与2SK0665相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK0665(2SK665)	ETC	2SK0665 (2SK665) - N-Channel MOS FET	获取价格
2SK1000	NEC	Field Effect Transistor	获取价格
2SK1004	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-3VAR	获取价格
2SK1005	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-3VAR	获取价格
2SK1006	FUJI	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	获取价格
2SK1006-01M	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-220AB	获取价格