2SK0655

更新时间： 2024-01-11 11:51:42

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松下 - PANASONIC		晶体小信号场效应晶体管开关
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3页	77K
描述
For Switching

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2SK0655 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	50 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	1 pF
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK0655 数据手册

Silicon MOS FETs (Small Signal)

2SK0655 (2SK655)

Silicon N-Channel MOS FET

unit: mm

4.0±0.2

2.0±0.2

For switching

I Features

0.75 max.

G High-speed switching

G Allowing to supply with the radial taping

+0.20

–0.10

0.45

+0.20

–0.10

I Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

0.45

(2.5) (2.5)

0.7±0.1

Parameter

Drain to Source voltage

Gate to Source voltage

Drain current

Symbol

V_DS

V_GSO

I_D

Ratings

Unit

1: Source

2: Drain

3: Gate

100

°C

Max drain current

I_DP

200

NS-B1 Package

Allowable power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

P_D

200

Internal Connection

T_ch

150

T_stg

−55 to +150

°C

I Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

I_DSS

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

V_DS= 10V, V_GS= 0

I_GSS

V_GS= 8V, V_DS= 0

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

I_D= 100µA, V_GS= 0

Gate threshold voltage

V_th

I_D= 100µA, V_DS= V_GS

I_D= 20mA, V_GS= 5V

I_D= 20mA, V_DS= 5V, f = 1kHz

1.5

3.5

Drain to Source ON-resistance

Forward transfer admittance

R_DS(on)

| Y_fs|

Ω

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

V_DS= 5V, V_GS= 0, f = 1MHz

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

0.5

Turn-on time

Turn-off time

t_on

V_DD= 5V, V_GS= 0 to 5V, R_L= 200Ω

V_DD= 5V, V_GS= 5 to 0V, R_L= 200Ω

t_off

^*t_on, t_offmeasurement circuit

V_out

200Ω

90%

10%

V_in

V_GS= 5V

V_DD= 5V

V_out

10%

90%

50Ω

t_on

t_off

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

283

12 3

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