2SK0123

更新时间： 2024-02-05 04:10:37

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松下 - PANASONIC		晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
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描述
For Impedance Conversion In Low Frequency

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2SK0123 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	0.002 A	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	80 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK0123 数据手册

Silicon Junction FETs (Small Signal)

2SK0123 (2SK123)

Silicon N-Channel Junction FET

For impedance conversion in low frequency

For electret capacitor microphone

Unit: mm

+0.10

–0.05

0.40

+0.10

–0.06

0.16

■ Features

■ High mutual conductance g_m

■ Low noise voltage of NV

(0.95) (0.95)

1.9±0.1

+0.20

2.90

–0.05

■ Absolute Maximum Ratings (T_a= 25°C)

10˚

Parameter

Drain to Source voltage

Drain to Gate voltage

Drain to Source current

Drain to Gate current

Gate to Source current

Allowable power dissipation

Symbol

V_DSO

V_DGO

I_DSO

Ratings

Unit

°C

1: Drain

2: Source

3: Gate

I_DGO

I_GSO

Mini3-G1 Package

P_D

200

Marking Symbol: 1H

Operating ambient temperature T_opr

Storage temperature

T_stg

−20 to +80

−55 to +150

Note: For the forming type, (Y) is indicated after the part No.

°C

■ Electrical Characteristics (T_a= 25°C)

Parameter

Current consumption

Symbol

I_D

Conditions

min

100

typ

max

600

480

Unit

µA

_D= 4.5 V, C_O= 10 pF, R_D= 2.2 kΩ ± 1%

Drain to Source cut-off current

Mutual conductance

I_DSS

g_m

_DS= 4.5 V, V_GS= 0

µA

_D= 4.5 V, V_GS= 0, f = 1 kHz

_D= 4.5V, R_D= 2.2 kΩ ± 1%

0.7

1.6

Noise figure

G_V1

G_V2

G_V3

µV

_O= 10 pF, A-curve

−3

_D= 4.5 V, R_D= 2.2 kΩ ± 1%

_O= 10 pF, e_G= 10 mV, f = 1 kHz

_D= 12 V, R_D= 2.2 kΩ ± 1%

_O= 10 pF, e_G= 10 mV, f = 1 kHz

_D= 1.5 V, R_D= 2.2 kΩ ± 1%

_O= 10 pF, e_G= 10 mV, f = 1 kHz

Voltage gain

3.3

−4.5

− 0.3

∆|G_V2− G_V1

∆|G_V1− G_V3

+3.5

Voltage gain difference

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: January 2002

SJF00005BED

12 3

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