2SA1499

更新时间： 2024-02-07 01:55:42

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松下 - PANASONIC		/
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描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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2SA1499 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1499 数据手册

Power Transistors

2SA1499

Silicon PNP epitaxial planar type

For high-speed switching

Unit: mm

10.0±0.2

5.5±0.2

4.2±0.2

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

2.7±0.2

●

High-speed switching

φ3.1±0.1

●

High collector to base voltage V_CBO

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw.

1.3±0.2

1.4±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

+0.2

–0.1

0.5

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–400

–7

Unit

0.8±0.1

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

2.54±0.25

5.08±0.5

–1.2

1:Base

2:Collector

3:Emitter

I_C

– 0.6

Collector power T_C=25°C

TO–220 Full Pack Package(a)

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–100

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= –400V, I_E= 0

I_EBO

V_EB= –7V, I_C= 0

Collector to emitter voltage

V_CEO

I_C= –10mA, I_B= 0

V_CE= –5V, I_C= –100mA

–400

h_FE1

160

Forward current transfer ratio

h_FE2

_CE= –5V, I_C= –300mA

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= –300mA, I_B= –60mA

V_CE= –10V, I_C= –100mA, f = 1MHz

I_C= –300mA,

–1.0

–1.2

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

MHz

µs

1.0

3.5

1.0

I_B1= –60mA, I_B2= 60mA,

V_CC= –100V

µs

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

30 to 60

50 to 100

80 to 160

12 3

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