2SA1310

更新时间： 2024-02-23 02:43:48

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Silicon PNP epitaxial planer type

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2SA1310 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	55 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	360
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1310 数据手册

Transistor

2SA1310

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency and low-noise amplification

Complementary to 2SC3312

Unit: mm

4.0±0.2

Features

Allowing supply with the radial taping.

■

●

Low noise voltage NV.

●

High foward current transfer ratio h_FE

Optimum for high-density mounting.

●

marking

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–60

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–55

1.27 1.27

2.54±0.15

–7

–200

–100

300

˚C

1:Emitter

2:Collector

3:Base

I_C

EIAJ:SC–72

New S Type Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

– 0.1

–1

Unit

µA

V_CB= –10V, I_E= 0

V_CE= –10V, I_B= 0

_C= –10µA, I_E= 0

Collector cutoff current

I_CEO

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

–60

–55

–7

I_C= –2mA, I_B= 0

I_E= –10µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= –5V, I_C= –2mA

I_C= –100mA, I_B= –10mA

V_CE= –1V, I_C= –30mA

180

700

– 0.6

–1

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter voltage

Transition frequency

V_BE

f_T

V_CB= –5V, I_E= 2mA, f = 200MHz

V_CE= –10V, I_C= –1mA, G_V= 80dB

R_g= 100kΩ, Function = FLAT

200

MHz

Noise voltage

150

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

180 ~ 360

260 ~ 520

360 ~ 700

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