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2SA1123R

更新时间： 2024-01-14 12:57:37

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	72K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-B1, 3 PIN

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2SA1123R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	130
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1123R 数据手册

Transistors

2SA1123

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency high breakdown voltage amplification

Complementary to 2SC2631

Unit: mm

5.0 0.2

4.0 0.2

■ Features

• Satisfactory forward current transfer ratio h_FEcollector current I_C

characteristics.

0.7 0.1

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

• Small collector output capacitance (Common base, input open cir-

cuited) C_ob

• Makes up a complementary pair with 2SC2631, which is optimum

for the pre-driver stage of a 20 W to 40 W output amplifier.

+0.15

0.45

–0.1

+0.6

2.5

–0.2

2.5

–0.2

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

2 3

1: Emitter

2: Collector

3: Base

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

−150

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

TO-92-B1 Package

−150

−5

−50

°C

Peak collector current

I_CP

−100

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

750

T_j

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−150

−5

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= −100 µA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −100 V, I_E= 0

V_CE= −5 V, I_C= −10 mA

−1

450

−1

µA



h_FE

130

V_CE(sat)I_C= −30 mA, I_B= −3 mA

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 10 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

200

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Noise voltage

V_CE= −40 V, I_C= −1 mA, G_V= 80 dB

R_g= 100 kΩ, Function = FLAT

300

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

130 to 220

185 to 330

260 to 450

Publication date: March 2003

SJC00011BED

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1123S	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-92	获取价格
2SA1123T	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-92	获取价格
2SA1124	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planer type	获取价格
2SA1124R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-92VAR	获取价格
2SA1124S	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-92VAR	获取价格
2SA1124T	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-92VAR	获取价格

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