生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SIP |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 40 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 120 |
JEDEC-95代码: | TO-126 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 10 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 150 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SA0963(2SA963) | ETC | パワーデバイス - パワートランジスタ - その他 |
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2SA0963|2SA963 | ETC | Power Device - Power Transistors - Others |
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2SA0963Q | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
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2SA0963R | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
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2SA-10 | ETC | Integrated 2-Axis Hall Sensor |
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2SA100 | ETC | Ge PNP Drift |
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