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2SA0921

更新时间： 2024-02-01 03:16:50

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松下 - PANASONIC		/
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3页	72K
描述
For high breakdown voltage low-noise amplification Complementary

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2SA0921 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.02 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	360	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz

2SA0921 数据手册

Transistors

2SA0921 (2SA921)

Silicon PNP epitaxial planar type

For high breakdown voltage low-noise amplification

Complementary to 2SC1980

Unit: mm

5.0 0.2

4.0 0.2

■ Features

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

• Low noise voltage NV

0.7 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

+0.15

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

−120

−5

Unit

0.45

–0.1

+0.6

2.5

–0.2

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

2.5

–0.2

2 3

1: Emitter

2: Collector

3: Base

−20

°C

Peak collector current

I_CP

−50

TO-92-B1 Package

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

250

T_j

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−120

−5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −1 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_CE= −50 V, I_B= 0

V_CE= −5 V, I_C= −2 mA

−100

−1

µA



I_CEO

h_FE

180

700

V_CE(sat)I_C= −20 mA, I_B= −2 mA

− 0.6

f_T

V_CB= −5 V, I_E= 2 mA, f = 200 MHz

200

MHz

Noise voltage

V_CE= −40 V, I_C= −1 mA, G_V= 80 dB

R_g= 100 kΩ, Function = FLAT

150

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

180 to 360

260 to 520

360 to 700

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: January 2003

SJC00007BED

12 3

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