2SA0777

更新时间： 2024-01-10 17:09:27

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松下 - PANASONIC		驱动器
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描述
For low-frequency driver amplification Complementary

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2SA0777 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

2SA0777 数据手册

Transistors

2SA0777 (2SA777)

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency driver amplification

Complementary to 2SC1509

Unit: mm

5.9 0.2

4.9 0.2

■ Features

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

• Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 W to 30 W

output amplifier.

0.7 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

+0.2

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

−80

0.45

+0.2

–0.1

0.45

–0.1

−80

(1.27)

1 : Emitter

−5

2 : Collector

3 : Base

− 0.5

EIAJ : SC-51

TO-92L-A1 Package

2.54 0.15

Peak collector current

I_CP

−1

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

°C

T_j

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−80

−5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −100 µA, I_B= 0

I_E= −1 µA, I_C= 0

V_CB= −20 V, I_E= 0

− 0.1

µA



Forward current transfer ratio ^*

h_FE1

h_FE2

V_CE= −10 V, I_C= −150 mA

V_CE= −5 V, I_C= −500 mA

220

100

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

V_BE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

− 0.2 − 0.4

− 0.85 −1.2

120

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Palse measurement

2: Rank classification

Rank

h_FE1

90 to 155

130 to 220

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: November 2002

SJC00004BED

12 3 4

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