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2B940AQ

更新时间： 2024-02-23 22:31:01

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松下 - PANASONIC		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	122K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, FULL PACK-3

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2B940AQ 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, FULL PACK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.74
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	180 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2B940AQ 数据手册

Power Transistors

2SB940, 2B940A

Silicon PNP epitaxial planar type

For power amplification

Unit: mm

For TV vertical deflection output

Complementary to 2SD1264 and 2SD1264A

10.0±0.2

5.5±0.2

4.2±0.2

2.7±0.2

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

■

●

φ3.1±0.1

●

Large collector power dissipation P_C

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

1.3±0.2

1.4±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

+0.2

–0.1

0.5

0.8±0.1

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Collector to

2SB940

2SB940A

2SB940

–200

V_CBO

2.54±0.25

base voltage

Collector to

–200

5.08±0.5

–150

V_CEO

emitter voltage 2SB940A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–180

1:Base

2:Collector

3:Emitter

V_EBO

I_CP

–6

–3

TO–220 Full Pack Package(a)

I_C

–2

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–50

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Collector to base voltage

V_CB= –200V, I_E= 0

I_EBO

V_EB= –4V, I_C= 0

V_CBO

I_C= –50µA, I_E= 0

–200

–150

–180

–6

2SB940

2SB940A

Collector to emitter

voltage

V_CEO

V_EBO

I_C= –5mA, I_B= 0

Emitter to base voltage

I_E= –500µA, I_C= 0

h_FE1

V_CE= –10V, I_C= –150mA

V_CE= –10V, I_C= –400mA

I_C= –500mA, I_B= –50mA

V_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 10MHz

240

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_BE

–1

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Transition frequency

f_T

MHz

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

60 to 140

100 to 240

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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