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PALCE16V8-10PC PDF预览

PALCE16V8-10PC

更新时间： 2024-09-20 22:16:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 闪存
页数 文件大小 规格书
13页 300K
描述
Flash-Erasable Reprogrammable CMOS PAL Device

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PALCE16V8-10PC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20
针数：20Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.82
其他特性：8 MACROCELLS; 1 EXTERNAL CLOCK; SHARED INPUT/CLOCK; POWER-UP RESET架构：PAL-TYPE
最大时钟频率：69 MHzJESD-30 代码：R-PDIP-T20
JESD-609代码：e0长度：25.527 mm
专用输入次数：8I/O 线路数量：8
输入次数：18输出次数：8
产品条款数：64端子数量：20
最高工作温度：75 °C最低工作温度：
组织：8 DEDICATED INPUTS, 8 I/O输出函数：MACROCELL
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP20,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V可编程逻辑类型：FLASH PLD
传播延迟：10 ns认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.826 mm子类别：Programmable Logic Devices
最大供电电压：5.25 V最小供电电压：4.75 V
标称供电电压：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL EXTENDED
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm

PALCE16V8-10PC 数据手册

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USE ULTRA37000™ FOR  
ALL NEW DESIGNS  
PALCE16V8  
Flash-Erasable Reprogrammable  
CMOS PAL® Device  
• Up to 16 input terms and eight outputs  
Features  
• 7.5 ns com’l version  
5 ns tCO  
5 ns tS  
• Active pull-up on data input pins  
• Low power version (16V8L)  
7.5 ns tPD  
125-MHz state machine  
— 55 mA max. commercial (10, 15, 25 ns)  
— 65 mA max. industrial (10, 15, 25 ns)  
— 65 mA military (15 and 25 ns)  
• 10 ns military/industrial versions  
7 ns tCO  
10 ns tS  
10 ns tPD  
62-MHz state machine  
• Standard version has low power  
— 90 mA max. commercial (10, 15, 25 ns)  
— 115 mA max. commercial (7 ns)  
— 130 mA max. military/industrial (10, 15, 25 ns)  
• High reliability  
— Proven Flash technology  
— 100% programming and functional testing  
• CMOS Flash technology for electrical erasability and  
reprogrammability  
Functional Description  
• PCI-compliant  
• User-programmable macrocell  
— Output polarity control  
The Cypress PALCE16V8 is a CMOS Flash Electrical  
Erasable second-generation programmable array logic  
device. It is implemented with the familiar sum-of-product  
(AND-OR) logic structure and the programmable macrocell.  
— Individually selectable for registered or combina-  
torial operation  
Logic Block Diagram (PDIP/CDIP)  
GND  
I
8
I
7
I
6
I
5
I
4
I
3
I
2
I
1
CLK/I  
0
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
PROGRAMMABLE  
AND ARRAY  
(64 x 32)  
8
8
8
8
8
8
8
8
Macrocell  
Macrocell  
Macrocell  
Macrocell  
Macrocell  
Macrocell  
Macrocell  
Macrocell  
11  
12  
I/O  
13  
I/O  
14  
I/O  
15  
I/O  
16  
I/O  
17  
I/O  
18  
I/O  
19  
I/O  
20  
OE/I  
V
CC  
9
0
1
2
3
4
5
6
7
PLCC/LCC  
Top View  
Pin Configurations  
DIP  
Top View  
1
2
3
4
20  
19  
18  
CLK/I  
V
I/O  
I/O  
I/O  
5
0
CC  
I
1
7
3 2 1 2019  
I
2
6
I
18  
I/O  
6
4
5
6
7
8
17  
I
3
3
I
17  
I/O  
5
6
4
5
16 I/O  
I
I
5
4
4
I
I/O  
16  
15  
14  
5
4
I/O  
15 I/O  
3
I
6
3
I/O  
14  
13  
12  
11  
7
8
9
10  
I/O  
I
2
I
6
7
7
2
I/O  
I
9 10111213  
1
I
I/O  
8
0
GND  
OE/I  
9
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-03025 Rev. *A  
•
3901 North First Street  
•
San Jose, CA 95134  
•
408-943-2600  
Revised April 22, 2004  
1234567...13

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PALCE16V8-10PC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PALCE16V8-10JC CYPRESS

完全替代

 Flash-Erasable Reprogrammable CMOS PAL Device

与PALCE16V8-10PC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PALCE16V8-10PI CYPRESS

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 		Flash-Erasable Reprogrammable CMOS PAL Device
PALCE16V8-10QC CYPRESS

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 		Flash PLD, 10ns, PAL-Type, CMOS, PDSO20, QSOP-20
PALCE16V8-15 CYPRESS

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 		Flash-Erasable Reprogrammable CMOS PAL Device
PALCE16V8-15DMB CYPRESS

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 		Flash-Erasable Reprogrammable CMOS PAL Device
PALCE16V8-15JC CYPRESS

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 		Flash-Erasable Reprogrammable CMOS PAL Device
PALCE16V8-15JCR CYPRESS

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 		Flash PLD, 15ns, CMOS, PQCC20, PLASTIC, LCC-20
PALCE16V8-15JI CYPRESS

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 		Flash PLD, 15ns, PAL-Type, CMOS, PQCC20, PLASTIC, LCC-20
PALCE16V8-15JIR CYPRESS

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 		Flash PLD, 15ns, CMOS, PQCC20, PLASTIC, LCC-20
PALCE16V8-15LMB CYPRESS

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