5秒后页面跳转
PA51256L-10 PDF预览

PA51256L-10

更新时间: 2024-11-19 20:00:43
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 154K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, SOP-28

PA51256L-10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP28,.5针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:100 ns其他特性:POWER-DOWN
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0长度:18 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP28,.5封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.6 mm
最大待机电流:0.00005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8.6 mm
Base Number Matches:1

PA51256L-10 数据手册

 浏览型号PA51256L-10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PA51256L-10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PA51256L-10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PA51256L-10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PA51256L-10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PA51256L-10的Datasheet PDF文件第7页 

与PA51256L-10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PA51256S-07 INTEL

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, SOP-28
PA51256S-10 INTEL

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, SOP-28
PA512C E-SWITCH

获取价格

Product Search
PA512J E-SWITCH

获取价格

Product Search
PA512-SMPA512 TE

获取价格

Cascadable Amplifier
PA5130.001NL PULSE

获取价格

High Frequency Wire Wound Transformers
PA5130.002NL PULSE

获取价格

High Frequency Wire Wound Transformers
PA5130.003NL PULSE

获取价格

High Frequency Wire Wound Transformers
PA5130.004NL PULSE

获取价格

High Frequency Wire Wound Transformers
PA5130.005NL PULSE

获取价格

High Frequency Wire Wound Transformers