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P6SMBJ85C-T1

更新时间： 2024-01-12 17:45:02

品牌	Logo	应用领域
WTE		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	72K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMB, 2 PIN

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P6SMBJ85C-T1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AA
包装说明：	PLASTIC, SMB, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.88
其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN	最大击穿电压：	119.2 V
最小击穿电压：	94.4 V	击穿电压标称值：	106.8 V
最大钳位电压：	151 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	BIDIRECTIONAL	最大重复峰值反向电压：	85 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

P6SMBJ85C-T1 数据手册

WTE

PO WER SEMICONDUCTORS

P6SMBJ SERIES

600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

Features

Glass Passivated Die Construction

600W Peak Pulse Power Dissipation

5.0V – 170V Standoff Voltage

Uni- and Bi-Directional Versions Available

Excellent Clamping Capability

Fast Response Time

Plastic Case Material has UL Flammability

Classification Rating 94V-O

SMB/DO-214AA

Min

Mechanical Data

Dim

Max

3.94

4.70

2.11

Case: JEDEC DO-214AA Low Profile Molded Plastic

Terminals: Solder Plated, Solderable

per MIL-STD-750, Method 2026

3.30

4.06

1.91

Polarity: Cathode Band or Cathode Notch

Marking:

Unidirectional – Device Code and Cathode Band

Bidirectional – Device Code Only

Weight: 0.093 grams (approx.)

0.152

5.08

0.305

5.59

2.44

0.203

1.27

2.13

0.051

0.76

All Dimensions in mm

“C” Suffix Designates Bi-directional Devices

“A” Suffix Designates 5% Tolerance Devices

No Suffix Designates 10% Tolerance Devices

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Characteristic

Symbol

P^PPM

Value

Unit

Peak Pulse Power Dissipation 10/1000µS Waveform (Note 1, 2) Figure 3

Peak Pulse Current on 10/1000µS Waveform (Note 1) Figure 4

600 Minimum

See Table 1

I^PPM

Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half Sine-Wave

Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) (Note 2, 3)

I^FSM

100

Operating and Storage Temperature Range

T^j, T^STG

-55 to +150

°C

Note: 1. Non-repetitive current pulse, per Figure 4 and derated above T_A= 25°C per Figure 1.

2. Mounted on 5.0mm²(0.013mm thick) land areas.

3. Measured on 8.3ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.

P6SMBJ SERIES

1 of 5

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与P6SMBJ85C-T1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
P6SMBJ85C-T3	WTE	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21	获取价格
P6SMBJ85C-T3-LF	WTE	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21	获取价格
P6SMBJ85-LFR	FRONTIER	600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR	获取价格
P6SMBJ85-T3-LF	WTE	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2	获取价格
P6SMBJ8CA	LITTELFUSE	Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors	获取价格
P6SMBJ8V2	LITTELFUSE	Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors	获取价格

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