Datasheet > P6SMBJ6.8A

P6SMBJ6.8A

更新时间： 2024-11-04 20:34:51

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
4页	1442K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

P6SMBJ6.8A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.65	最大击穿电压：	7.14 V
最小击穿电压：	6.45 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性：	UNIDIRECTIONAL	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	5.8 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

P6SMBJ6.8A 数据手册

P6SMBJ6.8(C)A

THRU

P6SMBJ550(C)A

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

Transient

Voltage Suppressor

6.8 to 550 Volts

600 Watt

l For surface mount applicationsin in order to optimize

board space

l Low profile package

l Fast response time: typical less than 1.0ps from 0 volts to

V_BRminimum

l Low inductance

l Excellent clamping capability

DO-214AA

(SMBJ) (LEAD FRAME)

Mechanical Data

CASE: JEDEC DO-214AA

Terminals: solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Color band denotespositive end (cathode)

except Bidirectional

Maximum soldering temperature: 250^oC for 10 seconds

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Peak Pulse Current on

10/1000us waveform

Peak Pulse Power

Dissipation

Peak Forward Surge

Current

I_PP

See Table 1 Note: 1

P_PP

600W

100A

Note: 1,

Note: 3

I_FSM)

DIMENSIONS

-55^oC to

+150^oC

Operation And Storage T_J, T_STG

Temperature Range

INCHES

MIN

4.06

3.30

0.15

0.76

5.08

2.00

1.91

DIM

MAX

.185

.155

.012

.060

.220

.096

.087

.008

MAX

4.70

3.94

0.31

1..52

5.59

2.44

2.21

0.203

NOTE

.160

.130

.006

.030

.200

.079

.075

.002

0.05

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

NOTES:

0.106"

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above

T_A=25^oC per Fig.2.

2. Mounted on 5.0mm²copper pads to each terminal.

3. 8.3ms, single half sine wave duty cycle=4 pulses per. Minute

maximum.

0.082”

0.050”

www.mccsemi.com

Revision: 2

2004/08/20

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与P6SMBJ6.8A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P6SMBJ6.8AP	MCC	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN, Transient Suppress
P6SMBJ6.8C	SUNMATE	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR DIODE
P6SMBJ6.8CA	SUNMATE	获取价格	600W plug-in TVS transient suppression diode SMB 6.8V
P6SMBJ6.8CAP	MCC	获取价格	DIODE 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN, Transient Suppresso
P6SMBJ60	DIOTEC	获取价格	Surface Mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes
P6SMBJ60	FORMOSA	获取价格	600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
P6SMBJ60	SEMIKRON	获取价格	Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor diodes
P6SMBJ60	YEASHIN	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VOLTAGE - 5.0 to 440 Volts 6 00 Watt Peak Power
P6SMBJ60	CHENG-YI	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
P6SMBJ60	WTE	获取价格	600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

与P6SMBJ6.8A相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

7
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

33
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

30

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P6SMBJ6.8A

P6SMBJ6.8A 技术参数

P6SMBJ6.8A 数据手册

与P6SMBJ6.8A相关器件

与P6SMBJ6.8A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P6SMBJ6.8A

P6SMBJ6.8A 技术参数

P6SMBJ6.8A 数据手册

与P6SMBJ6.8A相关器件

与P6SMBJ6.8A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？