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P6SMBJ30A

更新时间: 2024-11-10 23:02:51
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德欧泰克 - DIOTEC 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 166K
描述
Surface Mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes

P6SMBJ30A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-214AA包装说明:R-PDSO-C2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:3.98最大击穿电压:36.9 V
最小击穿电压:33.3 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AAJESD-30 代码:R-PDSO-C2
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-50 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

P6SMBJ30A 数据手册

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P6 SMBJ 6.5 ... P6 SMBJ 170CA  
Surface Mount  
Unidirektionale und bidirektionale  
Spannungs-Begrenzer-Dioden  
für die Oberflächenmontage  
unidirectional and bidirectional  
Transient Voltage Suppressor Diodes  
Pulse power dissipation – Impuls-Verlustleistung  
600 W  
Maximum stand-off voltage  
6.5...170 V  
Maximale Sperrspannung  
Plastic case  
~ SMB  
Kunststoffgehäuse  
~ DO-214AA  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.1 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle  
see page 18  
siehe Seite 18  
Dimensions / Maße in mm  
Suffix “C” or “CA” for bidirectional types  
Suffix “C” oder “CA” für bidirektionale Typen  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Peak pulse power dissipation (10/1000 s waveform)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 s)  
TA = 25C  
TT = 75C  
TA = 25C  
IF = 25 A  
PPPM  
PM(AV)  
IFSM  
VF  
600 W 1)  
Steady state power dissipation  
Verlustleistung im Dauerbetrieb  
5 W  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
100 A 2)  
Max. instantaneous forward voltage  
< 3.0 V 2)  
Augenblickswert der Durchlaßspannung  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+150C  
TS – 50…+150C  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 60 K/W 3)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to terminal  
RthT  
< 15 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluß  
1
)
Non-repetitive current pulse see curve IPPM = f (tr)  
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Strom-Impulses, siehe Kurve IPPM = f (tr)  
Unidirectional diodes only – nur für unidirektionale Dioden  
2
3
)
)
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß  
1
25.02.2003  

P6SMBJ30A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN, Transient Suppress
P6SMBJ30AS PANJIT

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SMB
P6SMBJ30AT1 LITTELFUSE

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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,
P6SMBJ30A-T1 WTE

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
P6SMBJ30A-T3 WTE

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600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
P6SMBJ30C PANJIT

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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR(VOLTAGE - 5.0 to 220 Volts 600 Watt Peak Power
P6SMBJ30C SURGE

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P6SMBJ30C TRSYS

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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR