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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> P6SMB6.8AHE3/52
P6SMB6.8AHE3/52 PDF预览

P6SMB6.8AHE3/52

更新时间： 2024-11-27 05:59:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 112K
描述
Surface Mount TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors

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P6SMB6.8AHE3/52 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214AA
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.14
Is Samacsys：N其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY
最大击穿电压：7.14 V最小击穿电压：6.45 V
击穿电压标称值：6.8 V外壳连接：ISOLATED
最大钳位电压：10.5 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：600 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：5.8 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

P6SMB6.8AHE3/52 数据手册

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P6SMB Series  
Vishay General Semiconductor  
Surface Mount TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Glass passivated chip junction  
• Available inuni-directional and bi-directional  
• 600 W peak pulse power capability with a  
10/1000 µs waveform, repetitive rate (duty  
cycle): 0.01 %  
• Excellent clamping capability  
• Very fast response time  
• Low incremental surge resistance  
DO-214AA (SMB)  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
• Solder dip 260 °C, 40 s  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
VBR uni-directional  
6.8 V to 540 V  
6.8 V to 220 V  
600 W  
TYPICAL APPLICATIONS  
V
BR bi-directional  
Use in sensitive electronics protection against voltage  
transients induced by inductive load switching  
and lighting on ICs, MOSFET, signal lines of  
sensor units for consumer, computer, industrial and  
telecommunication.  
PPPM  
PD  
5.0 W  
IFSM (uni-directional only)  
TJ max.  
100 A  
150 °C  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-214AA (SMB)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/  
automotive grade (AEC Q101 qualified)  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
DEVICES FOR BI-DIRECTION APPLICATIONS  
For bi-directional devices use CA suffix (e.g.  
P6SMB10CA).  
Electrical characteristics apply in both directions.  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3  
suffix meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: For uni-directional types the band denotes  
cathode end, no marking on bi-directional types  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
PPPM  
IPPM  
VALUE  
600  
UNIT  
W
Peak power dissipation with a 10/1000 µs waveform (1)(2) (Fig. 1)  
Peak pulse current with a 10/1000 µs waveform (1)  
Power dissipation on infinite heatsink TA = 50 °C ,  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only (2)  
Operating junction and storage temperature range  
See next table  
5.0  
A
PD  
W
IFSM  
100  
A
TJ, TSTG  
- 65 to + 150  
°C  
Notes:  
(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA = 25 °C per Fig. 2  
(2) Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pads to each terminal  
Document Number: 88370  
Revision: 21-Oct-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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P6SMB6.8AHE3/52 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
P6SMB6.8A-M3/5B VISHAY

完全替代

 TVS DIODE 5.8V 10.5V DO214AA
P6SMB6.8A-M3/52 VISHAY

完全替代

 TVS DIODE 5.8V 10.5V DO214AA
SM6T6V8CA-E3/52 VISHAY

完全替代

 DIODE 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-

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