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P6SMB480C

更新时间: 2024-11-20 00:59:23
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德欧泰克 - DIOTEC /
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3页 158K
描述
SMD Transient Voltage Suppressor Diodes

P6SMB480C 数据手册

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P6SMB220 ... P6SMB550CA  
P6SMB220 ... P6SMB550CA  
PPPM = 600 W  
PM(AV) = 5.0 W  
Tjmax = 150°C  
VWM = 175 ... 495 V  
VBR = 220 ... 550 V  
SMD Transient Voltage Suppressor Diodes  
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden  
Version 2016-05-31  
Typical Applications  
Over-voltage protection  
ESD protection  
Typische Anwendungen  
Schutz gegen Überspannung  
ESD-Schutz  
~ SMB / ~ DO-214AA  
5.4± 0.5  
Free-wheeling diodes  
Commercial grade 1)  
Freilauf-Dioden  
Standardausführung 1)  
Features  
Besonderheiten  
1.1  
0.15  
Uni- and Bidirectional versions  
Peak pulse power of 600 W  
(10/1000 µs waveform)  
Very fast response time  
Further available: P6SMBJ5.0...170CA  
having VWM = 5.0 ... 170 V  
Compliant to RoHS, REACH,  
Conflict Minerals 1)  
Uni- und Bidirektionale Versionen  
600 W Impuls-Verlustleistung  
(10/1000 µs Strom-Impuls)  
Sehr schnelle Ansprechzeit  
Auch erhältlich: P6SMBJ5.0...170CA  
mit VWM = 5.0 ... 170 V  
Type  
Typ  
R
Konform zu RoHS, REACH,  
4.6± 0.5  
V
Konfliktmineralien 1)  
Mechanical Data 1)  
Mechanische Daten 1)  
Dimensions - Maße [mm]  
Taped and reeled  
Weight approx.  
3000 / 13“  
0.1 g  
Gegurtet auf Rolle  
Gewicht ca.  
Type Code = VBR. Cathode mark  
only at unidirectional types  
Case material  
UL 94V-0  
260°C/10s  
MSL = 1  
Gehäusematerial  
Typ-Code = VBR. Kathoden-Markierung  
nur bei unidirektionalen Typen  
Solder & assembly conditions  
Löt- und Einbaubedingungen  
For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.  
Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.  
Maximum ratings 2)  
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)  
Grenzwerte 2)  
TA = 25°C  
PPPM  
600 W 3)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)  
Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb  
TT = 75°C  
TA = 25°C  
PM(AV)  
IFSM  
5 W  
Peak forward surge current (half sine) – Stoßstrom (Sinushalbw.) 60 Hz  
100 A 4)  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+150°C  
-50...+150°C  
Characteristics  
Kennwerte  
Max. instantaneous forward  
IF = 25 A VBR ≤ 550 V  
VF  
< 3.0 V 4)  
voltage Augenblickswert der Durchlass-Spannung  
Thermal resistance junction to ambien – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung  
Thermal resistance junction to terminal – Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss  
RthA  
RthT  
< 45 K/W 5)  
< 15 K/W  
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book  
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches  
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben  
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
2
3
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
4
5
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden  
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
 
 

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