Datasheet > P6SMB150C

P6SMB150C

更新时间： 2024-11-26 05:06:11

品牌	Logo	应用领域
强茂 - PANJIT		二极管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
5页	109K
描述
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

P6SMB150C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AA
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.65
其他特性：	LOW INDUCTANCE	最大击穿电压：	165 V
最小击穿电压：	135 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	121 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

P6SMB150C 数据手册

P6SMB SERIES

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

Unit: inch (mm)

5.5 to 214 Volts

SMB/DO-214AA

600 Watts

PEAK PULSE POWER

VOLTAGE

FEATURES

• For surface mounted applications in order to optimize board space.

• Low profile package

• Built-in strain relief

• Glass passivated junction

• Low inductance

• Typical I_Dless than 1.0µA above 10V

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Fammability Classification 94V-O

.185(4.70)

.160(4.06)

.012(.305)

.006(.152)

• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICAL DATA

.050(1.27)

.030(0.76)

.008(.203)

.002(.051)

• Case: JEDEC DO-214AA ,Molded plastic over passivated junction

• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750,Method 2026

• Polarity: Color band denotes positive end (cathode)

• Standard Packaging:12mm tape (EIA-481)

.220(5.59)

.200(5.08)

• Weight: 0.003 ounce, 0.093 gram

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

Rating

Symbol

Value

Units

Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000uS waveform (Notes 1,2, Fig.1)

P_PPM

600

Watts

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC Method) (Notes 2,3)

I_FSM

I_PPM

100

Amps

^OC

Peak Pulse Current on 10/1000us waveform(Note 1)Fig.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

see Table 1

-55 to +150

T_J,T_STG

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T = 25 C per Fig. 2.

2. Mounted on 5.0mm (0.13mm thick) land areas.

3. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute

maximum.

STAD-MAY.25.2007

PAGE . 1

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与P6SMB150C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P6SMB150CA	TSC	获取价格	Surface Mount Transient Voltage Suppressor
P6SMB150CA	WEITRON	获取价格	600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors
P6SMB150CA	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
P6SMB150CA	SEMIKRON	获取价格	Excellent clamping capability
P6SMB150CA	UTC	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
P6SMB150CA	CENTRAL	获取价格	BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 600 WATTS, 6.8 THRU
P6SMB150CA	TAITRON	获取价格	600W Surface Mount Transient Voltage Suppressor
P6SMB150CA	BOURNS	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 128V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
P6SMB150CA	SUNMATE	获取价格	600W plug-in TVS transient suppression diode SMB 150V
P6SMB150CA	RUILON	获取价格	Transient Voltage Suppressors

与P6SMB150C相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P6SMB150C

P6SMB150C 技术参数

P6SMB150C 数据手册

与P6SMB150C相关器件

与P6SMB150C相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P6SMB150C

P6SMB150C 技术参数

P6SMB150C 数据手册

与P6SMB150C相关器件

与P6SMB150C相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？