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P6KE82C.TR

更新时间: 2024-11-04 14:28:15
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商升特 - SEMTECH 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 314K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15

P6KE82C.TR 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.24最大击穿电压:90.2 V
最小击穿电压:73.8 V击穿电压标称值:82 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:118 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-15
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:5 µA表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

P6KE82C.TR 数据手册

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