P6KE170

更新时间： 2024-11-10 22:58:35

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		瞬态抑制器二极管局域网
页数	文件大小	规格书
5页	1048K
描述
GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (600 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

P6KE170 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-15
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW ZENER IMPEDANCE
最大击穿电压：	187 V	最小击穿电压：	153 V
击穿电压标称值：	170 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	244 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-15	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	265
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	138 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

P6KE170 数据手册

TVS

P6KE

RECTRON

TECHNICAL SPECIFICATION

SEMICONDUCTOR

SERIES

GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

600 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE

FEATURES

* Plastic package has underwriters laboratory

* Glass passivated chip construction

* 600 watt surage capability at 1ms

* Excellent clamping capability

* Low zener impedance

DO-15

* Fast response time

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load,

For capacitive load, derate current by 20%.

Dimensions in inches and (millimeters)

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA suffix for types P6KE6.8 thru P6KE400

Electrical characteristics apply in both direction

MAXIMUM RATINGS (At T

= 25^oC unless otherwise noted)

SYMBOL

VALUE

UNITS

Watts

RATINGS

PPM

Minimum 600

Peak power dissipation with a 10/1000uS (NOTES 1, FIG.1)

Steady state power dissipation at T

.375” ( 9.5 mm ) ( NOTES 2 )

= 75^oC lead lengths,

5.0

Watts

Amps

Peak forward surge current, 8.3ms single half sine wave-

superimposed on rated load( JEDEC METHOD ) ( NOTES 3 )

FSM

100

Maximum instantaneous forward voltage at 50A for

unidirectional only ( NOTES 4 )

3.5/5.0

Volts

⁰C

Operating and storage temperature range

, TSTG

-65 to + 175

1998-8

NOTES : 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T

= 25^oC per Fig.2.

2. Mounted on copper pad area of 1.6 X 1.6”( 40X40 mm) per Fig. 5

3. Measured on 8.3ms single half sine-wave or equivalent square wave duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

4. V = 3.0V max. for devices of V(BR) < 200V and V = 5.0 Volts for devices of V(BR) > 200V.

Back

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与P6KE170相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P6KE-170	FCI	获取价格	6.8V to 200V GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
P6KE170 / C	SWST	获取价格	瞬态电压抑制管
P6KE170(C)	GOOD-ARK	获取价格	TVS
P6KE170(C)A	GOOD-ARK	获取价格	TVS
P6KE170.TR	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15
P6KE170/51	VISHAY	获取价格	Transient Suppressor,
P6KE170/54	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 138V V(RWM), Unidirectional,
P6KE170/54-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Transien
P6KE170/73	VISHAY	获取价格	Transient Suppressor,
P6KE170/73-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Transien

与P6KE170相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P6KE170

P6KE170 技术参数

P6KE170 数据手册

与P6KE170相关器件

与P6KE170相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P6KE170

P6KE170 技术参数

P6KE170 数据手册

与P6KE170相关器件

与P6KE170相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？