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P6KE110B

更新时间： 2024-09-09 13:12:11
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
4页 72K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon

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P6KE110B 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-LALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.47
其他特性：TEMPERATURE COEFFICIENT IS DERIVED FROM MINIMUM BREAK-DOWN VOLTAGE最小击穿电压：99 V
外壳连接：ISOLATED最大钳位电压：158 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散：600 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大反向电流：5 µA表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

P6KE110B 数据手册

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P6KE6V8(C)A - P6KE400(C)A  
600W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR  
Features  
·
·
·
·
·
·
600W Peak Pulse Power Dissipation  
Voltage Range 6.8V - 400V  
Constructed with Glass Passivated Die  
Uni- and Bidirectional Versions Available  
Excellent Clamping Capability  
Fast Response Time  
A
B
A
C
D
Mechanical Data  
·
·
Case: Transfer Molded Epoxy  
Case material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Leads: Plated Leads, Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Marking: Unidirectional - Type Number and  
Cathode Band  
Marking: Bidirectional - Type Number Only  
Approx. Weight: 0.4 grams  
DO-15  
Min  
Dim  
A
Max  
—
25.40  
5.50  
·
·
B
7.62  
0.889  
3.6  
C
0.686  
2.60  
·
D
All Dimensions in mm  
·
·
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Power Dissipation, tp = 1.0 ms  
Ppk  
Pd  
600  
W
(Non repetitive current pulse, derated above TA = 25°C)  
Steady State Power Dissipation at TL = 75°C  
Lead Lengths 9.5 mm (Mounted on Copper Land Area of 40mm)  
5.0  
W
A
2
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine Wave, Superimposed  
on Rated Load (JEDEC Method) Duty Cycle = 4 pulses per minute maximum  
IFSM  
100  
Forward Voltage @ IF = 35A  
V
BR £ 200V  
3.5  
5.0  
VF  
Tj, TSTG  
V
300µs Square Wave Pulse, Unidirectional Only  
VBR > 200V  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +175  
°C  
Notes:  
1. Suffix ‘C’ denotes bidirectional device.  
2. For bidirectional devices having VR of 10 volts and under, the IR limit is doubled.  
DS21502 Rev. 12 - 2  
1 of 4  
P6KE6V8(C)A - P6KE400(C)A  
1234

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与P6KE110B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P6KE110-B LITTELFUSE

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 		TVS DIODE
P6KE110-B FRONTIER

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon
P6KE110-BP-HF MCC

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 89.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P6KE110C PANJIT

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 		GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR(VOLTAGE - 6.8 TO 440 Volts 600Watt
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