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P600K-E3/54

更新时间: 2024-09-09 19:26:03
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 130K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon

P600K-E3/54 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.58其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.3 V
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流:400 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-50 °C最大输出电流:6 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大重复峰值反向电压:800 V
最大反向电流:5 µA最大反向恢复时间:2.5 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

P600K-E3/54 数据手册

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