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P600B

更新时间： 2024-01-11 06:56:42
品牌 Logo 应用领域
EIC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 60K
描述
SILICON RECTIFIER DIODES

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P600B 技术参数

Case Style：R-6IF（A）：6.0
Maximum recurrent peak reverse voltage：1400Peak forward surge current：400
Maximum instantaneous forward voltage：1.0@IVA(A)：6.0
Maximum reverse current：5.0TRR(nS)：/
class：Diodes

P600B 数据手册

 浏览型号P600B的Datasheet PDF文件第2页 
TH97/10561QM  
TW00/17276EM  
IATF 0060636  
SGS TH07/1033  
SILICON RECTIFIER DIODES  
D6  
P600A - P600M  
PRV : 50 - 1000 Volts  
FEATURES :  
* High current capability  
* High surge current capability  
* High reliability  
1.00 (25.4)  
0.360 (9.1)  
MIN.  
0.340 (8.6)  
* Low reverse current  
* Low forward voltage drop  
* Pb / RoHS Free  
0.360 (9.1)  
0.340 (8.6)  
1.00 (25.4)  
0.052 (1.32)  
MIN.  
MECHANICAL DATA :  
0.048 (1.22)  
* Case : Void-free molded plastic body  
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant  
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,  
Method 208 guaranteed  
* Polarity : Color band denotes cathode end  
* Mounting position : Any  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
* Weight : 2.1 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specifie.  
RATING  
P600A P600B P600D P600G P600J P600K P600M  
UNIT  
SYMBOL  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
1000  
Maximum Average Forward Current  
0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 60 °C  
Peak Forward Surge Current  
IF(AV)  
6.0  
A
IFSM  
400  
A
8.3ms Single half sine wave Superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
1.0  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at IF = 6 A  
VF  
IR  
V
μA  
5.0  
1.0  
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC Blocking Voltage  
Ta = 25 °C  
IR(H)  
CJ  
mA  
pF  
Ta = 100 °C  
Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz  
Typical Thermal Resistance (1)  
Typical reverse recovery time (2)  
Junction Temperature Range  
150  
20  
Rθ  
°C/W  
μs  
JA  
Trr  
TJ  
2.5  
- 50 to + 150  
- 50 to + 150  
°C  
Storage Temperature Range  
TSTG  
°C  
Notes :  
(1) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead at 0.375" (9.5mm) lead length,  
P.C.B. mounted with 1.1” x 1.1” (30 x 30mm) copper pads  
(2) Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A  
Page 1 of 2  
Rev. 05 : September 16, 2008  
12

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