是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP20,.3 |
针数: | 20 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.87 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | PAL WITH MACROCELLS; 8 MACROCELLS; 1 EXTERNAL CLOCK; SHARED INPUT/CLOCK |
架构: | PAL-TYPE | 最大时钟频率: | 18.5 MHz |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T20 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 25.55 mm | 专用输入次数: | 8 |
I/O 线路数量: | 8 | 输入次数: | 18 |
输出次数: | 8 | 产品条款数: | 72 |
端子数量: | 20 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8 DEDICATED INPUTS, 8 I/O | |
输出函数: | MACROCELL | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP20,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
可编程逻辑类型: | OT PLD | 传播延迟: | 40 ns |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
子类别: | Programmable Logic Devices | 最大供电电压: | 5.25 V |
最小供电电压: | 4.75 V | 标称供电电压: | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
P5C060-45 | INTEL |
获取价格 |
16 MACROCELL CMOS PLD |
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P5C060-55 | INTEL |
获取价格 |
16 MACROCELL CMOS PLD |
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P5C090-50 | INTEL |
获取价格 |
24 MACROCELL CMOS PLD |
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P5C090-60 | INTEL |
获取价格 |
24 MACROCELL CMOS PLD |
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P5C164200CWM | PYRAMID |
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EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
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P5C164200CWMB | PYRAMID |
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EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
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P5C164200L32M | PYRAMID |
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EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32 |
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P5C164200L32MB | PYRAMID |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32 |
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P5C164250CWM | PYRAMID |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
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P5C164250CWMB | PYRAMID |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
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