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P4KE51A

更新时间: 2024-01-27 11:30:57
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 111K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

P4KE51A 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-41
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.05
其他特性:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY最大击穿电压:56.1 V
最小击穿电压:45.9 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:400 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):265极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:41.3 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

P4KE51A 数据手册

 浏览型号P4KE51A的Datasheet PDF文件第2页 

P4KE51A 替代型号

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