P4KE43A-G

更新时间： 2024-11-15 07:17:59

品牌	Logo	应用领域
上华 - COMCHIP		/
页数	文件大小	规格书
6页	128K
描述
400W Transient Voltage Suppressor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

P4KE43A-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.66
击穿电压标称值：	43 V	最大钳位电压：	59.3 V
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压：	36.8 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

P4KE43A-G 数据手册

400W Transient Voltage Suppressor

P4KE-G Series

Stand-off Voltage: 6.8 ~ 600V

Power Dissipation: 400 Watts

RoHS Device

DO-41

Features

-Glass passivated chip

-Low leakage

-Uni and Bidirection unit

0.033(0.84)

0.028(0.71)

DIA.

1.000(25.40)

MIN.

-Excellent clamping capability

-The plastic material has UL recognition 94V-0

-Fast response time: typically less than 1.0pS from

0 volts to BV min

0.205(5.21)

0.165(4.19)

0.117(2.97)

0.090(2.29)

DIA.

Mechanical Data

-Case: Molded plastic DO-41

1.000(25.40)

MIN.

-Polarity: By cathode band denotes unidirectional

device none cathode band denoted bi-directional

device

-Weight: 0.34 grams

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25°C ambient unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Symbol

Parameter

Value

Unit

Peak power dissipation a 10/1000μs waveform

PPP

400

(Note 1)

Peak pulse current with a 10/1000μs waveform

IPP

See Next Table

1.0

(Note 1)

Power dissipation on infinite heatsink at TL=75

Peak forward surge current, 8.3mS single

half sine-wave unidirectional only(Note 2)

IFSM

Maximum instantaneous forward voltage

at 25A for unidirectional only (Note 3)

3.5/5.0

Operating junction and storage temperature

range

^OC

TJ, TSTG

-55 to +150

NTOES:

(1) Non-repetitive current pulse, per fig.5 and derated above TA=25 ^OC per fig. 1.

(2) Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave,duty cycle=4 pulses per minute maximum.

(3) VF<3.5V for devices of VBR<200V and VF<5.0V for devices of VBR>201V.

REV:B

Page 1

QW-BTV05

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与P4KE43A-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P4KE43A-GT3	SENSITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 36.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P4KE43AH02	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
P4KE43AH02-5	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
P4KE43AH03	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
P4KE43AH04	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
P4KE43AH06	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
P4KE43AH09	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
P4KE43AHE3/54	VISHAY	获取价格	DIODE 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41,
P4KE43AHE3/73	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 36.8V 59.3V DO204AL
P4KE43A-HF	COMCHIP	获取价格	400W Transient Voltage Suppressor

与P4KE43A-G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

7
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

4
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

30
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P4KE43A-G

P4KE43A-G 技术参数

P4KE43A-G 数据手册

与P4KE43A-G相关器件

与P4KE43A-G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P4KE43A-G

P4KE43A-G 技术参数

P4KE43A-G 数据手册

与P4KE43A-G相关器件

与P4KE43A-G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？