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P4C1682-35DM

更新时间： 2024-11-26 15:47:19
品牌 Logo 应用领域
PYRAMID 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 59K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24

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P4C1682-35DM 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP24,.3针数：24
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.29
最长访问时间：35 nsI/O 类型：SEPARATE
JESD-30 代码：R-GDIP-T24JESD-609代码：e0
内存密度：16384 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：4功能数量：1
端子数量：24字数：4096 words
字数代码：4000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：4KX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP24,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
最大待机电流：0.015 A最小待机电流：4.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

P4C1682-35DM 数据手册

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P4C1681, P4C1682  
ULTRA HIGH SPEED 4K x 4  
STATIC CMOS RAMS  
FEATURES  
Separate Inputs and Outputs  
Full CMOS, 6T Cell  
– P4C1681 Input Data at Outputs during Write  
– P4C1682 Outputs in High Z during Write  
High Speed (Equal Access and Cycle Times)  
– 12/15/20/25 ns (Commercial)  
– 20/25/35ns (P4C1682 Military)  
Fully TTL Compatible Inputs and Outputs  
Standard Pinout (JEDEC Approved)  
– 24-Pin 300 mil DIP  
– 24-Pin 300 mil SOIC  
– 24-Pin 300 mil SOJ  
– 24-Pin CERDIP  
Low Power Operation (Commercial)  
– 715 mW Active – 12, 15  
– 550 mW Active – 20/25/35  
– 193 mW Standby (TTL Input)  
– 83 mW Standby (CMOS Input)  
– 28-Pin LCC (450 mil x 450 mil)  
Single 5V ± 10%Power Supply  
DESCRIPTION  
CMOS is used to reduce power consumption to a low 715  
mW active, 193 mW standby. For the P4C1682 and  
P4C1681, power is only 83 mW standby with CMOS input  
.
The P4C1681 and P4C1682 are 16,384-bit (4K x 4) ultra  
high speed static RAMs similar to the P4C168, but with  
separate data I/O pins. The P4C1681 features a  
transparent write operation; the outputs of the P4C1682  
are in high impedance during the write cycle. All devices  
have low power standby modes. The RAMs operate from  
a single 5V ± 10% tolerance power supply.  
levels.  
The P4C1681 and P4C1682 are available in 24-pin 300  
mil DIP and SOIC packages providing excellent board  
level densities. The P4C1682 is also available in a 28-pin  
LCC package.  
Access times as fast as 12 nanoseconds are available,  
permitting greatly enhanced system operating speeds.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATIONS  
A
V
A
A
A
A
I
A
A
A
A
1
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
16,384-BIT  
ROW  
CC  
11  
10  
9
0
1
2
3
MEMORY  
(7)  
SELECT  
2
ARRAY  
3
A
4
26  
25  
4
3
2
28 27  
A
A
A
A
5
6
9
8
4
5
I1  
I2  
I3  
I4  
O1  
O2  
O3  
O4  
1
A
A
5
24  
23  
4
5
8
INPUT  
DATA  
CONTROL  
I
7
6
4
NC  
NC  
COLUMN I/O  
4
NC  
NC  
8
22  
21  
A
A
7
I
3
6
7
9
A
6
A
7
8
O
4
3
2
1
I
20  
19  
10  
11  
3
9
O
O
O
I
1
I
O
4
POWER  
DOWN  
COLUMN  
SELECT  
1
10  
11  
12  
I
13 14 15 16 17  
2
CE  
12  
18  
CE  
WE  
GND  
WE  
A
A
(5)  
P4C1682  
P4C1681  
LCC (L5-1)  
TOP VIEW  
DIP (P4,D4), SOIC (S4), SOJ (J4)  
TOP VIEW  
Means Quality, Service and Speed  
1Q97  
41  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P4C1682-35FSM PYRAMID

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