Datasheet > 存储 > SRAM> P4C164-45CCLF

P4C164-45CCLF

更新时间： 2024-11-19 05:20:43

品牌	Logo	应用领域
PYRAMID		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
16页	182K
描述
ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

P4C164-45CCLF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP,
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.55	最长访问时间：	45 ns
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
座面最大高度：	5.715 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

P4C164-45CCLF 数据手册

P4C164

ULTRA HIGH SPEED 8K x 8

STATIC CMOS RAMS

FEATURES

Common Data I/O

Full CMOS, 6T Cell

Fully TTL Compatible Inputs and Outputs

High Speed (Equal Access and Cycle Times)

– 8/10/12/15/20/25/35/70/100 ns (Commercial)

– 10/12/15/20/25/35/70/100 ns(Industrial)

–12/15/20/25/35/45/70/100ns(Military)

StandardPinout(JEDECApproved)

– 28-Pin 300 mil Plastic DIP, SOJ

– 28-Pin 600 mil Plastic DIP (70 & 100ns)

– 28-Pin 300 mil SOP (70 & 100ns)

– 28-Pin 300 mil Ceramic DIP

– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP

– 28-Pin 350 x 550 mil LCC

Low Power Operation

Output Enable and Dual Chip Enable Control

Functions

– 32-Pin 450 x 550 mil LCC

–28-PinCERPACK

Single 5V±10% Power Supply

Data Retention with 2.0V Supply, 10 µA Typical

Current(P4C164LMilitary)

DESCRIPTION

Access times as fast as 8 nanoseconds are available,

permitting greatly enhanced system operating speeds.

The P4C164 is a 65,536-bit ultra high-speed static RAM

organized as 8K x 8. The CMOS memory requires no

clocks or refreshing and has equal access and cycle

times.InputsarefullyTTL-compatible. TheRAMoperates

from a single 5V±10% tolerance power supply. With

battery backup, data integrity is maintained with supply

voltages down to 2.0V. Current drain is typically 10 µA

from a 2.0V supply.

TheP4C164isavailablein28-pin300milDIPandSOJ,28-

pin 600 mil plastic and ceramic DIP, 28-pin 350 x 550 mil

LCC, 32-pin 450 x 550 mil LCC, and 28-pin CERPACK.

The70nsand100nsP4C164sareavailableinthe600mil

plastic DIP.

PIN CONFIGURATIONS

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

DIP (P5, P6, C5, C5-1, D5-1, D5-2),

SOJ (J5), CERPACK (F4), SOP(S6)

1519B

SEE PAGE 7 FOR LCC PIN CONFIGURATIONS

Document # SRAM115 REV F

Revised June 2007

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

与P4C164-45CCLF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P4C164-45CILF	PYRAMID	获取价格	ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS
P4C164-45CM	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28
P4C164-45CMB	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28
P4C164-45CMBLF	PYRAMID	获取价格	ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS
P4C164-45CMLF	PYRAMID	获取价格	ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS
P4C164-45CWCLF	PYRAMID	获取价格	ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS
P4C164-45CWILF	PYRAMID	获取价格	ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS
P4C164-45CWMB	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28
P4C164-45CWMBLF	PYRAMID	获取价格	ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS
P4C164-45CWMLF	PYRAMID	获取价格	ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS

与P4C164-45CCLF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P4C164-45CCLF

P4C164-45CCLF 技术参数

P4C164-45CCLF 数据手册

与P4C164-45CCLF相关器件

与P4C164-45CCLF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P4C164-45CCLF

P4C164-45CCLF 技术参数

P4C164-45CCLF 数据手册

与P4C164-45CCLF相关器件

与P4C164-45CCLF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？