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P4C164-20L32MBLF

更新时间： 2024-10-26 05:20:43

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16页	182K
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS

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P4C164-20L32MBLF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCN, LCC32,.45X.55	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.01
最长访问时间：	20 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CQCC-N32	长度：	13.97 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC32,.45X.55	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	1.905 mm	最大待机电流：	0.025 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.16 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

P4C164-20L32MBLF 数据手册

P4C164

ULTRA HIGH SPEED 8K x 8

STATIC CMOS RAMS

FEATURES

Common Data I/O

Full CMOS, 6T Cell

Fully TTL Compatible Inputs and Outputs

High Speed (Equal Access and Cycle Times)

– 8/10/12/15/20/25/35/70/100 ns (Commercial)

– 10/12/15/20/25/35/70/100 ns(Industrial)

–12/15/20/25/35/45/70/100ns(Military)

StandardPinout(JEDECApproved)

– 28-Pin 300 mil Plastic DIP, SOJ

– 28-Pin 600 mil Plastic DIP (70 & 100ns)

– 28-Pin 300 mil SOP (70 & 100ns)

– 28-Pin 300 mil Ceramic DIP

– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP

– 28-Pin 350 x 550 mil LCC

Low Power Operation

Output Enable and Dual Chip Enable Control

Functions

– 32-Pin 450 x 550 mil LCC

–28-PinCERPACK

Single 5V±10% Power Supply

Data Retention with 2.0V Supply, 10 µA Typical

Current(P4C164LMilitary)

DESCRIPTION

Access times as fast as 8 nanoseconds are available,

permitting greatly enhanced system operating speeds.

The P4C164 is a 65,536-bit ultra high-speed static RAM

organized as 8K x 8. The CMOS memory requires no

clocks or refreshing and has equal access and cycle

times.InputsarefullyTTL-compatible. TheRAMoperates

from a single 5V±10% tolerance power supply. With

battery backup, data integrity is maintained with supply

voltages down to 2.0V. Current drain is typically 10 µA

from a 2.0V supply.

TheP4C164isavailablein28-pin300milDIPandSOJ,28-

pin 600 mil plastic and ceramic DIP, 28-pin 350 x 550 mil

LCC, 32-pin 450 x 550 mil LCC, and 28-pin CERPACK.

The70nsand100nsP4C164sareavailableinthe600mil

plastic DIP.

PIN CONFIGURATIONS

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

DIP (P5, P6, C5, C5-1, D5-1, D5-2),

SOJ (J5), CERPACK (F4), SOP(S6)

1519B

SEE PAGE 7 FOR LCC PIN CONFIGURATIONS

Document # SRAM115 REV F

Revised June 2007

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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P4C164-20LC	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28
P4C164-20LCLF	PYRAMID	获取价格	ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS
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