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P4C164-20CMB

更新时间： 2024-10-26 20:49:39

品牌	Logo	应用领域
PYRAMID		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	1095K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28

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P4C164-20CMB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.3	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.42
最长访问时间：	20 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	JESD-609代码：	e0
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	5.715 mm	最大待机电流：	0.025 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.16 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

P4C164-20CMB 数据手册

P4C164

ULTRA HIGH SPEED 8K X 8

STATIC CMOS RAMS

FEATURES

Full CMOS, 6T Cell

Common Data I/O

ꢀ

High Speed (Equal Access and Cycle Times)

– 8/10/12/15/20/25/35/70/100 ns (Commercial)

– 10/12/15/20/25/35/70/100 ns(Industrial)

– 12/15/20/25/35/45/70/100 ns (Military)

Fully TTL Compatible Inputs and Outputs

ꢀ

Standard Pinout (JEDEC Approved)

– 28-Pin 300 mil Plastic DIP, SOJ

– 28-Pin 600 mil Plastic DIP

– 28-Pin 300 mil SOP (70 & 100ns)

– 28-Pin 300 mil Ceramic DIP

– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP

– 28-Pin 350 x 550 mil LCC

– 32-Pin 450 x 550 mil LCC

– 28-Pin CERPACK

Low Power Operation

Output Enable and Dual Chip Enable Control

Functions

Single 5V±10% Power Supply

Data Retention with 2.0V Supply, 10 µA Typical

Current (P4C164L Military)

DESCRIPTIOꢀ

The P4C164 is a 65,536-bit ultra high-speed static RAM

organizedas8Kx8.TheCMOSmemoryrequiresnoclocks

orrefreshingandhasequalaccessandcycletimes. Inputs

are fullyTTL-compatible. The RAM operates from a single

5V±10%tolerancepowersupply. Withbatterybackup,data

integrity is maintained with supply voltages down to 2.0V.

Current drain is typically 10 µA from a 2.0V supply.

Access times as fast as 8 nanoseconds are available,

permitting greatly enhanced system operating speeds.

The P4C164 is available in 28-pin 300 mil DIP and SOJ,

28-pin600milplasticandceramicDIP,28-pin350x550mil

LCC, 32-pin 450 x 550 mil LCC, and 28-pin CERPACK.

FUꢀCTIOꢀAL BLOCK DIAꢁRAM

PIꢀ COꢀFIꢁURATIOꢀS

DIP (P5, P6, C5, C5-1, D5-1, D5-2),

SOJ (J5), CERPACK (F4), SOP (S6)

SEE PAGE 8 FOR LCC PIN CONFIGURATIONS

Document # SRAM115 REV G

Revised September 2010

12 3 4 5 6 7...16

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